SK Hynix, южнокорейская компания-производитель полупроводников, готовится к выпуску в массовое производство 400-слойной NAND (тип флэш-памяти) и 321-слойной NAND. Высокая емкость хранения данных является целью компании, и выпуск этих продуктов планируется в конце 2025 года и в первой половине 2026 года соответственно.
Процесс создания многослойной NAND является сложным и требует применения нескольких технологий для склеивания. SK Hynix изучает новые материалы для склеивания и исследует различные технологии, такие как полировка, травление, осаждение и проводка, для соединения различных пластин. Весь процесс включает несколько этапов, включая разработку структуры ячеек, подготовку кремниевых пластин и укладку слоев многократным повторением.SK Hynix уже создала 321-слойную NAND и планирует начать ее массовое производство в 2025 году. Однако конкуренты компании, такие как Samsung и Micron, также работают над увеличением количества слоев в своих чипах NAND. Micron представила NAND с 276 слоями, а Samsung уже начала производство 290-слойной NAND.Чтобы достичь 400 слоев, SK Hynix планирует использовать метод гибридного склеивания, включающий изготовление ячеек памяти и периферийных схем на отдельных пластинах, а затем их скрепление вместе. Это позволит снизить риск повреждения периферийных схем при увеличении количества слоев. Благодаря большому количеству слоев, чипы NAND будут способны хранить более объемные данные, не занимая больше места.