По мере уменьшения размеров технологических устройств аппаратные компоненты и архитектура производства также должны уменьшаться. На данном этапе, в то время как конкуренция на рынке DRAM продолжается, мы по-прежнему сталкиваемся с новыми технологиями как в плане емкости, так и в плане занимаемой площади. Наконец, на выставке Memcon 2024 компания Samsung представила технологии 3D DRAM.
На выставке Memcon 2024 компания Samsung продемонстрировала две новые технологии 3D DRAM: транзисторы с вертикальным каналом и Stacked DRAM. Первая из этих разработок направлена на уменьшение площади за счет фундаментального изменения конструкции транзисторов. На данном этапе существующий канал стока будет переключен с горизонтального на вертикальный, что существенно сократит площадь транзистора. Однако напомним, что эта техника потребует гораздо большей точности на этапе печати.
А вот Stacked DRAM позволит разместить на одном чипе несколько вертикальных ячеек памяти, в отличие от обычной 2D DRAM, которая использует горизонтальную плоскость. Этот новейший способ позволяет увеличить емкость одного чипа более чем до 100 Гб, что является значительным шагом по сравнению с существующими ограничениями.
Таким образом, ожидается прорыв как в емкости, так и в масштабируемости.
Ожидается, что рынок 3D DRAM составит 100 млрд долл. к 2028 году. Samsung сосредоточится на привлечении высококвалифицированных работников и ускорении исследований и разработок с помощью специальной исследовательской лаборатории 3D DRAM, которая будет создана в Кремниевой долине. Кроме того, корейский гигант изучает технологию MUF для корпоративных рынков.
Усилия Samsung могут привести к созданию более мощных и компактных электронных устройств в будущем. Однако напомним, что корейский гигант не единственный в этой области.
