Samsung разрабатывает технологию заднего питания (BSPDN - под подачей питания на обратной стороне понимается метод прокладки линий электропитания на задней стороне полупроводникового чипа или интегральной схемы) на 2-нанометровом техпроцессе SF2 GAAFET. Это является ответом на недостатки 3-нанометрового техпроцесса GAA, который, по данным наблюдателей, не оправдал ожиданий по продажам.
Samsung стремится одержать победу в следующем поколении рынка. Технология BSPDN была ранее связана с линией 1,7 нм. Intel Foundry Services также работает над технологией заднего блока питания и представила амбициозную дорожную карту технологического процесса "пять узлов за четыре года".
Samsung уже совместно с ARM разрабатывает новый процессор Arm Cortex-X следующего поколения на базе технологии Gate-All-Around (GAA). Samsung Foundry может скорректировать график массового производства с учетом новой технологии BSPDN, и проекты SF2 GAAFET + BSPDN могут быть запущены раньше запланированного срока в 2027 году.
