Российские ученые из Алфёровского университета, являющиеся частью консорциума Центра компетенций НТИ «Фотоника», добились значительного успеха в разработке полупроводников. Они создали кристаллы нитрида индия на кремниевой подложке высокого качества, что открывает новые горизонты для производства оптоэлектронных устройств ближнего инфракрасного диапазона.
Новаторство российских исследователей состоит в значительном улучшении качества кристаллов нитрида индия, преодолев проблему высокой концентрации дефектов и примесей, которая долгое время сдерживала использование этого материала в практических целях. Важность достигнутого прогресса подчеркивается тем, что ученым удалось приблизить ширину запрещенной зоны материала к его теоретическому значению в 0.65 эВ, демонстрируя его высокое кристаллическое качество.
Этот прогресс делает возможным широкое применение нитрида индия в создании фотодетекторов, газовых датчиков, систем передачи данных на большие расстояния и в области квантовых телекоммуникаций. Ключевым преимуществом российской разработки является ее стоимость, которая в пять раз ниже, чем у зарубежных аналогов.
Использование кремниевых подложек для создания полупроводников значительно снижает стоимость производства по сравнению с традиционными материалами, такими как арсенид галлия, используемые для создания лазеров в ближнем ИК диапазоне.