ОписаниеHGTP10N50E1D - это MOSFET повышенной мощности с каналом N, изготовленный компанией Rochester Electronics LLC. Он предназначен для высокоскоростных переключателей, таких как питание, управление двигателем и освещение.Характеристики:Максимальное напряжение источника утечки (VDS): 500VМаксимальный ток утечки (ID): 10AМаксимальное энергопотребление (ПД): 43 ВтRDS (Открыть) (Максимальное значение): 0,80 ОмегаДиапазон рабочих температур: от - 55 °C до + 150 °CБез свинца и в соответствии с RoHSПрименение:ЭлектричествоЭлектроуправлениеОсвещениеПрименение высокоскоростных переключателей(Только для информации) Ссылка на продукт：https://www.utsource.net/ru/itm/p/1909865.html
Utsource — профессиональная платформа для закупок электронных компонентов. У нас есть огромные каналы поставок продукции и полный ассортимент продукции. Для нас большая честь обслуживать более 300 тысяч клиентов по всему миру более 19 лет. В Utsource Live Streaming мы общаемся с вами по видео и предоставляем вам следующие быстрые услуги:
1. Получите и обработайте ваш запрос на микросхемы, модули, радиочастотные транзисторы и т. д.
2. Решите проблемы с вашим заказом
3. Ответьте на ваши вопросы о продуктах.
4. Решите свои проблемы после продажи. Любые другие вопросы или проблемы, пожалуйста, сообщите нам. Для дальнейшего общения, пожалуйста, свяжитесь с нами по этим каналам:
Адрес электронной почты: ru2@utsource.com
Тел: +7 910 596-09-09
WhatsApp/Telegram: +7 910 596-09-09
