Студент по имени Габриэль Ферразу провел эксперимент по разгону твердотельного накопителя SSD. Обычно разгоном подвергаются процессоры, графические процессоры и оперативная память, но Ферразу решил проверить возможность разгона SSD. Он использовал накопитель SSD RZX Pro 256 ГБ, который базируется на микросхеме NAND Flash от Kioxia и имеет архитектуру BiCS FLASH 4. Изначально, этот SSD работал на частоте 193,75 МГц, значительно ниже его возможностей.
Ферразу использовал адаптер SATA III to USB 3.0 с мостовым чипом JMS578 для разгона SSD. Он закоротил две клеммы на печатной плате накопителя, чтобы заставить его работать без безопасного режима по умолчанию. Затем он использовал программное обеспечение MPTools, которое используют OEM-производители для прошивки SSD, чтобы изменить настройки прошивки накопителя. Некоторые настройки требовали модификации, чтобы заставить их работать. В результате, частота контроллера SSD и NAND Flash увеличилась до 500 МГц и 193 МГц соответственно.
Результаты разгона показали улучшение производительности SSD. Задержки уменьшились, скорость чтения незначительно улучшилась, а скорость записи значительно возросла. Пропускная способность также увеличилась, что положительно отразилось на бенчмарках. Однако, основной проблемой является повышенная рабочая температура SSD. Модифицированный SSD нагревается до 45 °C по сравнению с температурой в 40 °C при стандартных настройках. Это может привести к сокращению срока службы накопителя. Также стоит отметить, что разгон SSD приводит к потере всех гарантий, предоставляемых производителем, и снижает ожидаемое количество операций чтения и записи.
Ферразу продемонстрировал, что разгон твердотельных накопителей возможен, и с помощью правильных инструментов и настроек можно достичь значительного прироста производительности. Однако, стоит помнить о возможных негативных последствиях, таких как повышенная рабочая температура и потеря гарантийных обязательств от производителя. Каждый пользователь должен самостоятельно принять решение о разгоне своего SSD, взвешивая потенциальное улучшение производительности и риски для долговечности накопителя.
