В свежем исследовании, опубликованном в журнале Nature, ученые из Технологического института Джорджии в Атланте обсуждают новый материал, который может изменить современную электронику. Речь идет о полупроводящем эпитаксиальном графене, полученном из карбида кремния (SiC). Оказывается, этот эпиграфен имеет удивительные свойства и обладает гораздо большей подвижностью электронов, чем кремний. Ученые говорят о том, что электроны в эпиграфене могут двигаться в 10 раз быстрее, чем в традиционных кремниевых транзисторах. Это открывает новые возможности для создания чипов, работающих в терагерцевом диапазоне. Чтобы получить эпиграфен, ученые используют процесс, основанный на получении графена, который мы изучаем уже полвека. Они помещают два кристалла SiC в графитовый тигель и нагревают их при помощи тока высокой частоты в аргоно-кварцевой трубке в течение примерно часа. В результате испарения кремния с поверхности SiC образуется графеновый слой, а затем эпиграфен на подложке из карбида крем
Ученые считают, что эпитаксиальный графен может заменить собой кремний в производстве чипов
20 января 202420 янв 2024
26
1 мин