ОБЩЕЕ ОПИСАНИЕ
Am29F200B — это флэш-память емкостью 2 Мбит и напряжением 5,0 В, организованная как 262 144 байта или 131 072 слова. 8 бит данных появляются на DQ0–DQ7; 16 бит на DQ0–DQ15. Am29F200B предлагается в корпусах SO с 44 контактами и TSOP с 48 контактами. Устройство также доступно в форме Known Good Die (KGD). Для получения дополнительной информации обратитесь к публикации номер 21257. Это устройство предназначено для программирования внутри системы со стандартным системным источником питания VCC 5,0 В. Напряжение питания 12,0 В не требуется для операций программирования или стирания. Устройство также можно перепрограммировать в стандартных программаторах EPROM.
Это устройство изготовлено с использованием 0,32-мкм технологического процесса AMD и обладает всеми функциями и преимуществами Am29F200A, изготовленного с использованием 0,5-мкм технологического процесса.
Стандартное устройство обеспечивает время доступа 45, 50, 55, 70, 90 и 120 нс, что позволяет работать высокоскоростным микропроцессорам без состояний ожидания. Чтобы исключить конфликты на шине, устройство имеет отдельные элементы управления включением микросхемы (CE#), разрешением записи (WE#) и включением вывода (OE#).
Устройству требуется только один источник питания 5,0 В для функций чтения и записи. Для операций программирования и стирания предусмотрено внутреннее генерируемое и регулируемое напряжение.
Устройство полностью совместимо с набором команд стандарта флэш-памяти JEDEC с одним источником питания. Команды записываются в регистр команд с использованием стандартных таймингов записи микропроцессора. Содержимое регистра служит входными данными для внутреннего конечного автомата, который управляет схемами стирания и программирования. Циклы записи также внутренне фиксируют адреса и данные, необходимые для операций программирования и стирания. Чтение данных из устройства аналогично чтению из других устройств Flash или EPROM.
Программирование устройства происходит путем выполнения последовательности команд программы. При этом запускается алгоритм встроенной программы — внутренний алгоритм, который автоматически рассчитывает длительность программных импульсов и проверяет правильность границ ячейки.
Стирание устройства происходит путем выполнения последовательности команд стирания. Это запускает встроенный алгоритм стирания — внутренний алгоритм, который автоматически предварительно программирует массив (если он еще не запрограммирован) перед выполнением операции стирания. Во время стирания устройство автоматически рассчитывает ширину импульса стирания и проверяет правильность поля ячейки.
Хост-система может определить, завершена ли программа или операция стирания, наблюдая за выводом RY/BY# или читая биты состояния DQ7 (опрос данных#) и DQ6/DQ2 (переключение). После завершения программы или цикла стирания устройство готово прочитать данные массива или принять другую команду.
Архитектура стирания секторов позволяет стирать и перепрограммировать сектора памяти, не затрагивая содержимое данных других секторов. При отправке с завода устройство полностью стирается.
Аппаратные меры защиты данных включают детектор низкого напряжения VCC, который автоматически блокирует операции записи во время переключения питания. Функция аппаратной защиты секторов отключает операции программирования и стирания в любой комбинации секторов памяти. Этого можно достичь с помощью программного обеспечения.
Функция приостановки стирания позволяет пользователю приостановить стирание на любой период времени для чтения данных или программирования данных в любой сектор, который не выбран для стирания. Таким образом, можно добиться настоящего стирания фона.
Аппаратный вывод RESET# завершает любую выполняемую операцию и сбрасывает внутренний конечный автомат для чтения данных массива. Вывод RESET# может быть привязан к схеме сброса системы. Таким образом, сброс системы также перезагрузит устройство, позволяя системному микропроцессору прочитать загрузочную прошивку из флэш-памяти.
Система может перевести устройство в режим ожидания. В этом режиме энергопотребление значительно снижается. Технология флэш-памяти AMD сочетает в себе многолетний опыт производства флэш-памяти для обеспечения высочайшего уровня качества, надежности и экономической эффективности. Устройство электрически стирает все биты в секторе одновременно посредством туннелирования Фаулера-Нордхайма. Данные программируются с использованием инъекции горячих электронов.
