Ученые из США разработали метод точного совмещения слоев микросхем Исследователи из Университета Массачусетса представили метод совмещения слоев микросхем с точностью до атомного уровня, использующий лазеры и металинзы для создания голографических узоров. Этот подход позволяет определять смещение слоев с точностью до 0,017 нм по горизонтали и 0,134 нм по вертикали, что значительно превосходит возможности существующих методов с точностью 2–2,5 нм. Метод может упростить производство чипов, особенно в условиях перехода к более тонким техпроцессам и растущего интереса к вертикальной интеграции чипов. Однако вопрос совместимости с современным литографическим оборудованием, в том числе для создания сквозных кремниевых каналов, остаётся открытым.
Ученые из США разработали метод точного совмещения слоев микросхем
Исследователи из Университета Массачусетса представили метод совмещения слоев микросхем с точностью до атомного уровня, использующий лазеры и металинзы для создания голографических узоров. Этот подход позволяет определять смещение слоев с точностью до 0,017 нм по горизонтали и 0,134 нм по вертикали, что значительно превосходит возможности существующих методов с точностью 2–2,5 нм.
Метод может упростить производство чипов, особенно в условиях перехода к более тонким техпроцессам и растущего интереса к вертикальной интеграции чипов. Однако вопрос совместимости с современным литографическим оборудованием, в том числе для создания сквозных кремниевых каналов, остаётся открытым.
