Проект ученого ИФП СО РАН стал одним из 10 победителей первого «промышленного» конкурса РНФ по направлению «Микроэлектроника». Российский научный фонд подвел итоги конкурса на получение грантов по мероприятиям «Проведение ориентированных научных исследований в рамках стратегических инициатив Президента РФ в научно-технологической сфере» и «Проведение прикладных научных исследований в рамках стратегических инициатив Президента РФ в научно-технологической сфере» по направлению «Микроэлектроника». Среди десяти победителей — проект Института физики полупроводников им. А.В Ржанова СО РАН «Разработка технологического процесса формирования эпитаксиальных слоев германия для pin диодов (фотодетекторов) на длину волны 1,31 мкм, сопряженных с кремниевой волноводной структурой». Об этом сообщили в пресс-службе ИФП СО РАН. — Мы будем разрабатывать технологию создания германиевых слоев для фотоприемников, использующихся в фотонных интегральных схемах (ФИС), заказчик технологического предложения по э
Проект ученого из Новосибирска профинансирует Российский научный фонд
31 октября 202331 окт 2023
2 мин