В ходе мероприятия Memory Tech Day 2023 компания Samsung представила ряд революционных достижений в области технологий памяти. Одной из заметных новинок стало внедрение памяти GDDR7, которая может стать неотъемлемой частью будущих видеокарт, таких как GeForce RTX 5090 и флагманов AMD нового поколения. Ранее появились сообщения о том, что компания NVIDIA уже получила прототипы этой памяти.
В частности, Samsung показала чип памяти GDDR7 с впечатляющим объемом 32 Гбит и эффективной частотой 32 ГГц. Для сравнения, современные видеокарты с памятью GDDR6X обычно работают на частотах до 20-21 ГГц.
При такой высокой частоте даже 256-разрядная шина видеокарты обеспечит потрясающую пропускную способность в 1 ТБ/с, а 512-разрядная шина удвоит этот показатель до 2 ТБ/с. Еще более интересным является тот факт, что компания Samsung уже проводит испытания образцов с умопомрачительной частотой до 36 ГГц.
В дополнение к GDDR7 компания Samsung также представила память HBM3E Shinebolt. Скорость работы HBM3E составляет 9,8 Гбит/с на контакт, что означает скорость передачи данных более 1,2 ТБ/с для всего стека. По сообщениям Samsung, образцы этой новейшей памяти уже рассылаются заказчикам.
Еще одно пополнение в арсенале Samsung – память LPDDR5X в компактном форм-факторе CAMM2, обладающая частотой 7,5 Гбит/с. Такие модули ОЗУ особенно важны для ноутбуков, поскольку позволяют экономить пространство в корпусе, обеспечивая при этом высокую производительность.