Как сообщают СМИ и тематические ресурсы, южнокорейская корпорация Samsung планирует в 2024 году приступить к массовому производству флеш-памяти 3D NAND девятого поколения с более, чем 300 слоями. Вероятно, подобный анонс означает, что до конца следующего года компания представит как минимум один новый флагманский твердотельный накопитель, использующий подобную память и новый контроллер с поддержкой интерфейса PCI-Express 5.0. В настоящий момент производители первого эшелона, самостоятельно выпускающие контроллеры и память для своих SSD, такие, как Samsung и Western Digital, отстают от некоторых производителей второго, использующих контроллеры и память сторонних фирм, таких, как Phison и Micron соответственно.
Ранее конкурент Samsung, компания Hynix, продемонстрировала образец 321-слойной 3D памяти. Серийно, впрочем, она начнет выпускаться не раньше 2025 года. Представители же корейской корпорации заявляют, что чипы памяти Samsung будут самыми многослойными в индустрии. Компоновка в данном случае будет двухстековой, а не трехстековой, как у Hynix. Работают в компании и над увеличением скоростных показателей чипов.
