Тема всплыла у блогера Максима Горшенина некоторое время назад, но я не торопился с выводами, поскольку его расследование ещё продолжалось, и как апофеоз, им было анонсировано интервью с генеральным директором НИИЭТ, которое и должно было бы разложить всё по полочкам.
По наивности я подумал, что вот, гендиректор не уходит от интервью, стало быть, ему есть что сказать и, наконец, всё выяснится и будет выглядеть логично. Будут признаны ошибки и внутренние проблемы, приведшие к этому, мол, с кем не бывает, трудно со специалистами, не смогли во-время распознать, пришлось действовать по ситуации...
Но знаете, интервью состоялось, но после «объяснения» гендиректором ситуации стало понятно, что человек постоянно пытается завести рака за камень, и совершенно не выглядит обманутым. Придумывает, что сказать, прямо на ходу, вьётся ужом. Но обо всём по порядку.
История вопроса
Многие из вас, наверное, уже наслышаны об этом вопиющем случае, получившем большой резонанс в медиапространстве, когда Научно-исследовательский институт электронной техники (АО «НИИЭТ») обманул приобретателей «своих» автомобильных зарядок (в том числе, и чиновников, которым они были презентованы), а также блогера Максима Горшенина, которому они дали её на рекламный обзор.
Суть проблемы в том, что автомобильная зарядка, которую они показывали на выставке, презентовали всевозможным чиновникам, а также продавали через Интернет, и заявляемая, как собственная разработка, и с GaN-транзисторами собственной разработки, оказалась не только не их разработкой, но и не содержала того самого элемента, который фигурирует в качестве отличительного признака как на упаковке товара, так и в его описании на сайте НИИЭТ, а именно, GaN-транзистора, даже китайского:
Мы с вами видим, что везде речь идёт о GaN-транзисторе, используемом в зарядке. При этом, учитывая то, что НИИЭТ сам является разработчиком GaN-транзисторов, что указано на том же сайте, они намеренно создают ложное впечатление, что в устройстве использованы GaN-транзисторы, разработанные именно в НИИЭТ.
Ну и в описании устройства прямым текстом указывается, что устройство в целом — тоже разработка НИИЭТ:
В беседе с официальным представителем НИИЭТ Максиму Горшенину была предоставлена дополнительная информация, что в качестве GaN-транзистора в устройстве используется именно их разработка, транзистор ТНГ-К 10030:
На сайте НИИЭТ есть информация ещё от 13 марта о том, что в их устройствах применяются кристаллы силовых транзисторов российской разработки и производства, а схемотехника зарядки доработана с учётом их применения, и указано, что сборка корпуса пока осуществляется на фабрике в КНР, что заведомо создаёт у читателя ложное впечатление, что всё остальное, стало быть, делается в России:
Блогер Максим Горшенин, не подозревая подвоха, испытывая большое доверие к НИИЭТ, по их просьбе сделал рекламный обзор девайса, где повторил всё, что ему рассказал о нём разработчик: https://www.youtube.com/watch?v=ilNeKlgBpwU. Более того, на плате предоставленного ему экземпляра действительно стояли два транзистора с маркировкой НИИЭТ:
Однако после начала продаж устройства на «Озоне», там в комментариях стали появляться сообщения, что устройство не содержит GaN-транзисторов.
Тогда Максим купил то же самое устройство уже на «Озоне» и, разобрав его, действительно, вместо транзисторов с маркировкой НИИЭТ увидел китайские транзисторы, причём не GaN, а обычные MOSFET:
Более того, если мы более внимательно рассмотрим маркировку НИИЭТ на транзисторе предоставленного Максиму устройства, можем заметить кружок, оставшийся от заливки пластикового корпуса, точно такой же и в том же месте, что и на китайских транзисторах:
Различие только в том, что поверхность корпуса транзистора с клеймом НИИЭТ шершавая, в отличие от гладкой поверхности китайских транзисторов, а кружок менее выраженный и более мелкий вглубину. Как будто верхний слой с маркировкой был чем-то сточен, а на технологический кружок нанесена собственная маркировка как-бы в попытке максимально этот характерный кружок замаскировать, даже в ущерб качеству маркировки, что в обычных обстоятельствах выглядело бы странно.
Более того, никакой «специально доработанной схемотехники» на печатной плате устройства не наблюдается — платы абсолютно идентичные.
То есть, Максиму намеренно подсунули на обзор не GaN-зарядку (заведомо зная, что она не GaN), и специально стёрли в этом уже разобранном экземпляре маркировку с китайских чипов, чтобы блогер ни о чём не догадался. Думали, что прокатит. И прокатило бы, если бы не энтузиасты, купившие и разобравшие эту зарядку.
Естественно, он в справедливом возмущении опубликовал разоблачение в очередном своём выпуске: https://www.youtube.com/watch?v=E53Mo_rHDqs.
Кстати, данная зарядка, очевидно, была разработана и произведена китайским контрактным производителем Watotravel.
Ответы НИИЭТ
Первый диалог с представителем
При первом звонке в НИИЭТ Максиму сообщили, что они заказали устройства на китайской фабрике, и первая партия была с GaN-транзисторами. Вторую партию они не проверяли, и она оказалась с MOSFET-транзисторами.
Получается, что Максиму давали устройство, уже зная, что оно не GaN, и специально для него поменяли маркировку на корпусе транзисторов. Что, из первой партии вскрытых проверочных экземпляров не осталось? А куда они делись, если пришлось ради блогера так извращаться?
Во время звонка, Максиму пообещали разговор с гендиректором НИИЭТ, который всё объяснит, но не хотели, чтобы он выкладывал свой выпуск раньше этого разговора. Однако, Максим отказался, и выпустил видео раньше. Надо заметить, и правильно сделал. Почему? Потому что иначе он мог бы спровоцировать собственный подкуп или давление со стороны гендиректора, и проблема могла быть вообще скрыта, что поощрило бы дальнейшие злоупотребления НИИЭТ (и не только НИИЭТ) в будущем.
Второй диалог, теперь с гендиректором
А вот когда с Максиму перезвонил гендиректор АО «НИИЭТ» Куцько Павел Павлович, вот тут и начался основной треш ))) Он вдруг сказал, что они, оказывается, не ставили цели завязываться с собственными GaN-транзисторами, а просто продажей этих устройств проводили маркетинговые исследования. Непонятно, как это связано с вопросом про отсутствие даже китайских GaN-транзисторов в этом устройстве.
При этом ранее представители НИИЭТ уверяли Максима, что в устройстве стоят именно GaN-транзисторы разработки АО «НИИЭТ», а отзыв анонимного покупателя на «Озоне» — это клевета или заказ конкурентов. Примечательно, что позже концепция поменялась, и они стали уверять, что как только появился первый такой отзыв, они осуществили проверку и выявили проблему, свалив её на обман со стороны китайцев. В общем, совсем заврались товарищи.
Павел Павлович — человек, судя по всему, эмоциональный, и было очень забавно слышать проскочившее у него искреннее возмущение тем, что какой-то покупатель «зачем-то разобрал купленную на Озоне зарядку». Вообще, Павел Павлович из-за своей эмоциональности читается, как открытая книга. Лучше бы он вообще не звонил, я бы тогда ещё как-то сомневался во всём этом... )))
Ещё он оправдывался тем, что, якобы, зарядки соответствуют заявленным характеристикам, а значит, для покупателя должно быть всё равно, что там внутри. Ну, это не цитата, а смысл сказанного. Тогда зачем надо было маркировать коробку буквами GaN и везде писать об этом, в том числе, и на сайте «Озона»? В общем, противоречия у человека в каждом абзаце )))
Основной посыл гендиректора — они продают зарядки не для обогащения, а для продвижения бренда НИИЭТ в отношении нитрида галлия. При этом у него никто не спрашивал цель продаж, но этот факт, по мнению гендиректора, должен был почему-то оправдать его подлог.
В довесок
В качестве вишенки на торте, можно упомянуть, что перемаркировка китайских изделий для того, чтобы выдать их за свои, для НИИЭТ, судя по всему, обычная практика.
Так, вместо контроллера собственной разработки К1921ВК01Т, производимой ранее на тайваньской фабрике TSMC, НИИЭТ предлагает микросхему К1921ВК01Т2.
При этом на самом деле это китайская микросхема компании GigaDevice Semiconductor, у которой стёрта маркировка, а сверху наклеена наклейка от НИИЭТ.
Причём остатки старой маркировки от GigaDevice видны:
Гендиректор НИИЭТ признал факт того, что после невозможности поставок микросхем от TSMC, они смогли временно решить проблему поставками своим заказчикам аналогичных иностранных чипов, но под своей маркировкой. Ничего не имею против, возможно, так проще с документацией заказчиков, либо не хотят светить поставщика, чтобы не подставлять его под вторичные санкции — не знаю, это ладно. Просто отметим сам факт такой перемаркировки.
Более того, на другом их устройстве, а именно, уже на сетевой зарядке, собранной в Китае, у них установлен GaN-чип с маркировкой НИИЭТ, но это тоже китайская разработка:
Со слов генерального директора, эти чипы тоже перемаркированы для того, чтобы «а — скрыть логистику поставок (чтобы не подставлять поставщика под риск вторичных санкций) и б — продвигать бренд НИИЭТ'а, как возможного поставщика нитрид-галлиевых изделий». Ну, с первым я бы ещё мог бы как-то согласиться, но вот пункт «б» — это перл из перлов. Осуществлять подлог для продвижения бренда... такое себе... )))
В общем, мы видим, что перемаркировка для НИИЭТ — это привычная практика.
А вдруг действительно китайцы обманули?
Якобы, китайцы им дали предложение в виде четырёх вариантов GaN-зарядки с возможностью их перевода в будущем на отечественные GaN-транзисторы, заказали у них один из видов, а китайцы вместо GaN-зарядок подсунули им обычные, потому что просто смогли уложиться в требующиеся технические характеристики. Неужели в договоре не было указано условие использования GaN-транзисторов?
И другой вопрос, в характеристиках указано 95 Вт, а зарядка, насколько я понял, выдаёт 65 Вт, это как?
А если так, тогда мы видим полную некомпетентность Павла Павловича, как генерального директора, поскольку, увидев обман, он не снимает устройство с продаж, а стреляет себе в голову — берёт разобранное устройство с китайскими MOSFET-транзисторами, которым его обманули китайцы, стирает маркировку с китайских транзисторов, наносит логотип НИИЭТ, и отдаёт его техноблогеру на обзор, увеличивая тем самым количество купивших этот девайс людей.
Причём надо же понимать, что техноблогеров смотрят не среднестатистический планктон, а в большинстве своём люди, интересующиеся техникой. Максима Горшенина вообще смотрят энтузиасты, интересующиеся именно отечественной микроэлектроникой. Очевидно же, что таким не в падлу вслед за Максимом и корпус разобрать...
Более того, получив первый сигнал из комментариев на «Озоне» ещё 31 августа, НИИЭТ должен был мгновенно снять её с реализации, ибо имиджевые потери могут быть фатальны. Но нет. Весь месяц продажи идут, пока Максим не обнаруживает проблему и сам не звонит в НИИЭТ. А это уже означает осознанный подлог.
В общем, действия очень нелогичные. Причём, даже в случае изначального осознанного подлога, действия НИИЭТ также нелогичны. Это как надо представлять себе потенциального покупателя (то есть, наш народ), чтобы думать, что «устройство с российскими GaN-транзисторами», не разберёт какой-нибудь энтузиаст, чтобы воочию поглазеть на отечественное чудо!? Как тупого потребителя, ничем не интересующегося и ни в чём не разбирающегося?
Заключение
В общем, что я вижу? Я вижу похвальную пассионарность НИИЭТ в попытке привлечь государственные деньги для организации промышленного производства разработанных ими GaN-транзисторов. И это правильно. Кое-кому, не будем показывать пальцем, не мешало бы добавить пассионарности.
Стратегически тоже всё делается правильно. В головах общественности и чиновников, которым раздарили зарядки с надписью GaN и НИИЭТ, создаётся смысловая связка GaN — НИИЭТ. Это полезно в конкурентной борьбе за инвестиции.
Вот только на этом верном стратегическом пути НИИЭТ принимает неверные тактические решения в виде осознанного подлога, причём уже не так важно, изначально задуманного, или осознанного позже, по факту, но продолженного.
Теперь я даже не знаю, что должно сделать НИИЭТ, чтобы восстановить свой серьёзно подорванный ими самими имидж. Наверно, исчезнуть с инфополя до тех пор, пока GaN-транзисторы их собственной разработки не начнут появляться в потребительской электронике. Или ответить чётко, полно, внятно и по существу, а не заводить постоянно рака за камень, как это всё время делал гендиректор.
Честно говоря, я в шоке. Кстати, неужели научно-исследовательскому институту электронной техники было так дорого и сложно для продвижения собственного бренда самостоятельно разработать схемотехнику, а не спрашивать у китайцев предложения готовых решений, чтобы вместо робких слов о доработке (кем? тоже китайцами?) схемотехники под GaN гордо написать о полностью собственном решении? Это же институт электронной техники!!!
Хотя это ладно, пошли по наиболее дешёвому пути. Но вот как можно было наделать при этом целый ряд очевидных ошибок — я не понимаю.
На сегодня всё. Ставьте нравлики, если солидарны с моей оценкой произошедшего. Оставляйте свои соображения в комментариях и подписывайтесь на мой канал. Пока!