В материале разберём аббревиатуры самих параметров smd транзисторов . Параметры транзисторов отличаются от номенклатуры тем что параметры работы smd компонентов будут иметь одинаковый физический смысл для всей линейки компонентов а вот сами значения параметров в материале не будем трогать.
Как справочник SMD - расшифровки и понятия.
Расшифровка параметров для SMD транзисторов.
Данные обозначения параметров касаются только SMD формата.
Уточним что для Surface Mount Technology или SMD конденсаторов этого типа существуют отдельные обозначения и номиналы и параметры.
В этом материале мы рассматривать параметры микроконденсаторов будем не много и коснемся в основном smd транзисторов.
Сразу начнем с понятия Figure Of Merit (FOM) - это метрика качества smd компонентов.
Figure Of Merit (FOM) выражает сравнительные характеристики нескольких коппонентов одного номинала smd но различных марок производителей.
Все характеристики FOM выражаются при прочих равных внешних условиях. А вычисления самих параметров FOM берут либо по номинальным значениям параметров транзисторов, либо по максимальным.
Снова к конденсаторам:
При измерении емкости SMD конденсатора пользуются очень малыми величинами емкостей, нано фарадами= 1 нФ (нанофарад, одна миллиардная доля фарада).
Существует множество параметров, подобных этим малым емкостям, которые характеризуют работу smd компанента.
Каждое из этих понятий обозначается по циферно-буквенно, но достаточно кратко, в 3-4 символа.
Напомним, что FOM обозначает лиш сравнительные числа между 2 или более smd компанентами разных производителей.
Возьмём первое обозначение - IGSS gate, что обозначает - to source leakage reverse - ток утечки затвора в маленьких транзисторах. Измеряют в микроамперах,
VDS это предельное напряжение сток-исток ( напряжение между коллектором и эмиттером ) VDS расшифровывается как Drain-Source Voltage – оно обозначает номинал максимально допустимого напряжение между стоком и истоком smd транзистора, при котором возможна работа этого транзистора.
-IDSS-ток утечки стока или данный вид потерь относиться к статическому энергопотребления, которое осуществляется за счёт надбарьерного переноса электронов между стоком и истоком. Происходит ток утечки в smd компанентах на расстояние 1 нм между затворами.
-IAR - обозначение l(max) на стоке, это величина основным параметром зависимости который является нагрев, возникающий при прохождение тока через smd транзистор.
-EAR- самая большая энергия импульса на стоке.
Параметр ещё называют Eas Single Pulse Avalanche Energy — максимальная энергия единичного импульса на стоке .
Этот импульс протекает через индуктивность коммутируемой цепи smd. В результате этого в выходную емкость транзистора передается энергия, приводящая к появлению на стоке транзистора импульса перенапряжения.
-Tj-номинальная рабочая температура транзистора, ее нужно отличать от температуры p-n перехода или температура кристалла.
При работе кристалл всегда быаает горяче корпуса транзистора, потому для smd транзистора так же справедливо то, что кристал работает примерно при 120-190 С. В то время как, работчая температура на поверхности smd должна соблюдаться в пределе 65-90 С.
Так же выделяют storage temperature - это температура хранения и junction temperature - это соединительная температура, при следующих параметрах:
- - td (on)-время открытия затвора.
- - tr - время напоминания импульса.
- - td (off)- время закрытия затвора
- - tf - время за которое затухает импульс касается больше не smd а полноразмерных транзисторов.
Тем не менее различают ещё 2 вида времени, которое не относится к затуханию транзистора, а имеет общий вид не рабочего времени транзистора, которое обеспечивает корректную работу цепи. Это так называемое мертвое время:
У транзисторов есть два вида мертвого времени – расчетное ( CDT - Control Dead Time) и фактическое (EDT- Effective Dead Time).
Control Dead Time – это длительность задержки между сигналами открытия транзисторов. Она генерируется самой схемой управления транзистора по заданному алгоритму и не может ровняться нулю.
Effective Dead Time. Фактическая длительность мертвого времени – это интервала времени в котором оба парных транзистора закрыты.
Ciss - емкость затвора на входе.
Ciss измеряется как сумма емкостей е затвор-сток или Cgd сложаная с ёмкостью затвор-исток или Cgs.
Ciss = Cgs + Cgd и ёмкость затвора на входе доходит до наивысшего напряжения перед самим открытием транзистора.
Coss-выходная емкость затвор-исток и исток-сток, благодаря которой и осуществляется открытие и закрытие транзистора. Для открытия транзистора затвор - исток надо зарядить наполнить ёмкостью, в то же время емкость затвор - сток требуется снизить до минимума. Абсолютно противоположная схема происходит при закрытии транзистора. .
- VSD (diode forward voltage) - падение напряжения на диоде между истоком и стоком. Это прямое падение напряжения на диоде при температуре 25°C и некотором токе стока, когда на затворе транзистора 0 вольт.