Южнокорейский технологический гигант Samsung Electronics разработал модули памяти стандарта DDR5 объемом 1 Тб благодаря технологическому прорыву в производстве DRAM. Инженерам компании удалось изготовить первую в отрасли модули памяти емкостью 32 гигабита по технологии DDR5 DRAM с использованием 12-нанометрового техпроцесса.
Благодаря этому прорыву Samsung сможет выпускать модули памяти DDR5 емкостью 1 Тбайт, но также есть и другие преимущества перехода на 32-Гбит DRAM. По сравнению с существующими 16-гигабитными модулями DDR5 DRAM, изготовленными по 12-нм техпроцессу, энергопотребление снижается на 10% при сравнении с модулями емкостью 128 Гб.
По словам Санг-Джуна Хванга, исполнительного вице-президента по продуктам и технологиям DRAM компании Samsung Electronics, первоначально основными заказчиками этой DRAM будут дата-центры, системы искусственного интеллекта и компьютеры работающие с огромными объемами данных.
«Благодаря нашим 32-гигабитным микросхемам DRAM по 12-нм техпроцессу, мы получили решение, которое позволит создавать модули памяти объемом до 1 Тб, что идеально позиционирует нас на рынке все возрастающего спроса на высокоемкую память DRAM в эру ИИ и огромных данных. Мы продолжим разработку решений DRAM с использованием дифференцированных процессов проектирования и производства, чтобы вывести технологии памяти на новый уровень», - сообщил Санг-Джун Хванг.
Samsung рассчитывает начать масштабное производство 32-гигабитных микросхем DRAM по 12-нм техпроцессу до конца 2023 года.
Больший объем памяти в меньшем форм-факторе и с меньшим энергопотреблением всегда пользуется спросом у операторов центров обработки данных. Однако со временем эта технология памяти должна появиться и в модулях DDR5 для настольных ПК и ноутбуков. В настоящее время потребителям предлагаются комплекты памяти емкостью 192 Гбайт, состоящие из 4-х модулей.
