Компания SK hynix из Южной Кореи разработала новые элементы памяти, состоящие из 12 микрочипов емкостью в 24576 МБ. Стандарт запоминающих устройств — HBM3, работающий на повышенной скорости.
Сейчас разработчики занимаются тестированием продукта на высокоемких вычислениях и обработке графики. Также компания сообщила, что потребители, заинтересовавшиеся в новом продукте, уже получили новые образцы. Об особенностях и плюсах новых стеков памяти — в обзоре от экспертов компании «ЗУМ-СМД».
Особенности новых 12-слойных стеков
Основным преимуществом новых компонентов памяти является минимизация размеров. Соединения сделаны сквозными кремниевыми переходами. За счет утончения чипов на 40% в тот же самый объем микросхемы удалось разместить 24 Гб вместо 16 Гб прежней конфигурации. При этом достигнут минимальный зазор между слоями. Из-за чего многие параметры получившихся компонентов памяти улучшились:
- интерфейс составляет — 1024 бит;
- пропускная способность — 819,2 ГБ/с;
- напряжение питания — всего 1,1 В.
Однако усовершенствование интерфейсов позволит выйти по скорости за пределы 1 Тбайт/с. Для создания таких микросхем используется технология Advanced Mass Reflow Molded Underfill, которая основывается на спаянных соединениях нескольких чипов в один. Реализация такой топологии — непростая задача. При соединении слоев требуется не только совместить около 60 000 контактов, но и максимально их сжать для минимизации зазора. Причем эти процессы не должны привести к ошибке или снижению производительности. Недопустимы отклонения от нормы на всех локальных участках.
Применение стеков памяти HBM3
Основные сферы использования новых стеков памяти стандарта HBM3 — это высокопроизводительные:
- графические процессоры GPU;
- сетевые устройства хранения и передачи данных;
- центры обработки данных с ИИ;
- программируемые микросхемы FPGA.
Разработан стандарт HBM для того, чтобы избавиться от недостатков, которые присущи динамической оперативной памяти. Потому что последняя не справляется со скоростными возможностями процессоров. Стандарт HBM3 был утвержден в самом начале 2022 года. Он, по сравнению с все еще часто используемым стандартом HBM2E, имеет большую пропускную способность на 40%.
Поставка стеков памяти нового типа запланирована на второе полугодие 2023 года. В планах компании SK Hynix использовать технологию DBI Ultra, чтобы объединить уже 16 кристаллов. Но в этом случае плотность соединений будет иметь от 100 тысяч до миллиона контактов на 1 мм².
Появление новых компонентов с улучшенными параметрами позволяет создавать наиболее конкурентноспособную продукцию. Современная логистика с нынешними особенностями рынка предполагает партнерство с крупными посредниками, которые занимаются поставкой радиодеталей и микросхем. Компания «ЗУМ-СМД» сотрудничает с многими известными производителями и имеет большой выбор электронных компонентов.
