Исследователи из Новосибирского государственного университета создали инновационные материалы, которые способны значительно улучшить характеристики будущих элементов памяти, превосходя текущую флеш-память по количеству циклов перезаписи, объёму и скорости работы. Как сообщает университет, современные технологии достигли своего предела: исчерпаны возможности увеличения количества циклов перезаписи, продолжительность использования и объём данных, которые можно хранить на одной ячейке. Дальнейшее развитие на основе существующей технологии флеш-памяти невозможно.
Специалисты рассматривают использование нового типа памяти, подобного мемристору, как способ преодоления этих ограничений. В отличие от других видов памяти, мемристоры способны значительно увеличить количество циклов перезаписи. Согласно научным публикациям, цикл перезаписи у мемристоров короче: если в случае флеш-памяти это части микросекунд, то у мемристоров эта характеристика достигает десятков наносекунд или даже пикосекунд.
Об этом заявляет Иван Юшков, младший научный сотрудник лаборатории функциональной диагностики низкоразмерных структур для наноэлектроники НГУ и аспирант Института физики полупроводников имени А. В. Ржанова СО РАН.
В университете также пояснили, что оксид кремния широко используется как диэлектрик в производстве микросхем, а кремний-германиевые стекла представляют собой смесь оксидов обоих элементов. Ранее исследовались либо оксиды кремния, либо оксиды германия по отдельности. Однако новосибирские учёные совместили свойства этих веществ и впервые в мире обнаружили в них мемристорный эффект, а также изучили их оптоэлектрические характеристики. На данный момент ведутся исследования процессов, происходящих в этих материалах при протекании электрического тока.
Как отмечает один из исследователей, германо-силикатные стекла такого состава пока не изучались никем, кроме них. Целью является создание современных элементов памяти, которые превышают флеш-память по множеству характеристик, включая количество циклов перезаписи, долговечность, эффективность и надёжность.
Значимость данной работы заключается в возможности теоретического определения параметров мемристора без необходимости выращивания его наноструктуры.