Применение DUV-оборудования сыграло значительную роль в развитии ведущего китайского производителя полупроводников SMIC. Несмотря на предыдущие заявления об успешном создании 5-нм чипа, массовое производство сталкивается с проблемами, связанными с высокими затратами и недостаточной производительностью. Эти трудности также оказывают негативное влияние на Huawei.
Из-за торговых ограничений со стороны США, запрещающих поставки новейшего EUV-оборудования ASML в Китай, единственным способом для китайских специалистов остаётся разработка собственного оборудования. Согласно последним данным, эти планы уже четко сформулированы, а пробное производство запланировано на третий квартал 2025 года.
По имеющейся информации, в этих специализированных EUV-системах применяется плазма, формируемая лазерным разрядом (LDP), что представляет собой небольшую модификацию технологии лазерно-генерируемой плазмы (LPP) от ASML. В дальнейшем будет рассмотрено, как это технологическое изменение может повлиять на ситуацию в отрасли.
Массовое производство подобных EUV-машин критически важно для Китая, чтобы не только уменьшить зависимость от компаний, находящихся под контролем США, но и получить конкурентное преимущество на рынке. Фотографии, опубликованные пользователями Х (ранее Twitter) @zephyr_z9 и @Ma_WuKong, свидетельствуют о том, что новая система проходит тестирование на производственной площадке Huawei в Дунгуане. Ранее сообщалось о разработке исследовательским коллективом из Harbin Provincial Innovation источника света для EUV-литографии на основе разрядной плазмы.
Данный источник способен генерировать экстремальный ультрафиолет с длиной волны 13,5 нм, отвечающий потребностям рынка фотолитографии. В инновационной системе, проходящей тестирование в Huawei, технология разряда, индуцированного лазером, применяется для создания EUV-излучения с длиной волны 13,5 нм. Процесс заключается в испарении олова между электродами и его трансформации в плазму посредством высоковольтного разряда, где столкновения электронов и ионов формируют требуемую длину волны.
В отличие от голландского гиганта, использующего мощные лазеры и сложные системы управления на базе программируемых логических матриц, прототип, тестируемый в Huawei и использующий лазерно-индуцированную плазму, характеризуется более простой конструкцией, компактными размерами, низким энергопотреблением и сниженной себестоимостью производства. До начала этих испытаний Китай и SMIC продолжали использовать устаревшее оборудование DUV.
Более старые литографические технологии, использующие волны длиной 248 нм и 193 нм, уступают современной EUV-литографии с длиной волны 13,5 нм. SMIC, чтобы создать передовые чипы, пришлось бы прибегнуть к многоступенчатому процессу нанесения рисунка, что значительно увеличило бы стоимость производства и усложнило процесс, приводя к большим затратам. По оценкам, 5-нм чипы, произведённые SMIC, обходились бы на 50% дороже, чем аналогичные чипы TSMC, изготовленные с использованием той же технологии. Это объясняет отсутствие данной технологии в реальных применениях.
Сейчас Huawei ограничена 7-нм технологией для своих чипов Kirin, внося лишь небольшие улучшения для повышения производительности. Этот прорыв позволит Huawei сократить отставание от Qualcomm и Apple. Это будет существенным прорывом для всего технологического сектора Китая.