Китайская компания Yangtze Memory Technologies Corporation (YMTC), специализирующаяся на выпуске микросхем флэш-памяти, добилась технологического прорыва в производстве многослойной памяти 3D NAND. Об этом сообщает издание South China Morning Post со ссылкой на данные канадской исследовательской фирмы TechInsights.
Как сообщается, в китайском твердотельном накопителе ZhiTai TiPro9000 была обнаружена новая 3D NAND память Xtacking4.0 от YMTC. Эта память включает 270 слоёв с двухъярусной компоновкой, где первый ярус содержит 150 затворов, а второй — 144 затвора, что в общей сложности составляет 294 затвора. Для этого используется технология гибридного склеивания двух пластин. Всё это позволило увеличить плотность записи до рекордных 20 Гбит на квадратный миллиметр площади.
По сообщению South China Morning Post, YMTC удалось добиться впечатляющих результатов в условиях нахождения под санкциями США. Примечательно, что до ввода санкций компания выпускала 232-слойную память, но потом была вынуждена перейти на менее продвинутую 160-слойную. Теперь же речь идёт о 270 слоях и рекордной плотности записи данных.