Новосибирск. 25 декабря. ИНТЕРФАКС - Специалисты Института ядерной физики им.Г.И.Будкера СО РАН (ИЯФ СО РАН, Новосибирск) создают две установки - имплантера, необходимых для микроэлектроники, сообщил замдиректора ИЯФ СО РАН Евгений Левичев журналистам в среду. "Две машины (установки - ИФ) сейчас мы делаем, одна из них более сильноточная, другая - более высоковольтная. Предполагается, что эти имплантеры позволят нам стать существенно более независимыми, и даже перегнать, поскольку туда закладываются параметры выше тех, которые производятся в мире. Наша страна может выйти вперед по части изготовления микросхем", - сказал он. Также в ИЯФ сделан источник ионов для имплантера, отметил Левичев. Достижение технологического суверенитета зависит от того, насколько успешно разработки будут масштабированы в промышленности, добавил он. Источник ионов имеет магнитное поле остроконечной формы и, как показали эксперименты, обеспечивает качественное нанесение примесей, поэтому подходит для создания си
Прототип ионного источника для микроэлектроники создан в Новосибирске
25 декабря 202425 дек 2024
35
1 мин