Россия готовится к созданию собственных литографических машин с экстремальным ультрафиолетовым излучением (EUV). Однако, отечественная технология идет другим путем, используя длины волны 11,2 нм вместо более распространенной 13,5 нм, используемой системами компании ASML. Николай Чхало из Института физики микроструктур Российской академии наук возглавляет эту работу, надеясь сделать литографическое оборудование более дешевым и менее сложным.
Новые российские машины EUV будут использовать лазеры, работающие на ксеноне, отходя от подхода ASML, использующей олово. Чхало утверждает, что длина волны 11,2 нм обеспечивает 20-процентный прирост разрешения и может упростить проектирование оптики, одновременно снижая производственные затраты. Кроме того, новая технология уменьшает загрязнение оптических элементов, что должно помочь ключевым механизмам, таким как коллекторы и защитные пленки, проработать гораздо дольше.
Тем не менее, эти машины не будут такими быстрыми, как у ASML. Они будут работать примерно на 37 процентах пропускной способности систем ASML, используя источник света мощностью 3,6 кВт. Хотя это не очень хорошо для крупносерийного производства, но этого достаточно для мелкосерийного производства.
Переход на длину волны 11,2 нм означает, что необходимо создать совершенно новую экосистему, например, специальные зеркала, покрытия, конструкции масок и фоторезисты. Даже программные инструменты для проектирования чипов требуют серьезной переработки, особенно для подготовки данных масок и оптических коррекций.
Стоит отметить, что пока не определены временные рамки для этапов разработки, но эксперты считают, что создание полноценной экосистемы литографии может занять около десяти лет, хотя, всё будет зависеть от объемов финансирования. Также пока нет информации о том, какие нормы производства будут поддерживать отечественные литографы.