В России разработана первая отечественная установка для получения кристаллов нитрида галлия на 200-миллиметровых кремниевых подложках. Этот важный шаг в области микроэлектроники был достигнут благодаря усилиям специалистов из АО «НИИТМ» (входит в ГК «Элемент»), НТЦ микроэлектроники РАН и ООО «Софт-Импакт».
Нитрид галлия используется для создания компонентов сверхвысокочастотной и силовой микроэлектроники, которые применяются в различных устройствах — от зарядных станций для электромобилей до бытовой электроники, такой как телефоны и ноутбуки.
По словам Юлии Сухорословой, директора направления электронного машиностроения ГК «Элемент», разработки с использованием нитрида галлия отличаются высокой мощностью и стойкостью. Это позволяет ускорить процесс зарядки и повысить эффективность работы современных устройств.
Например, компоненты на основе нитрида галлия могут применяться в управлении зарядными станциями для электромобилей, что значительно ускоряет восполнение энергии по сравнению с традиционными технологиями.