Российские учёные успешно испытали первую промышленную установку для получения кристаллов нитрида галлия на кремниевых подложках. Событие знаменует собой важный шаг в развитии отечественной микроэлектроники. Нитрид галлия – ключевой материал для создания высокочастотных электронных компонентов. Россия стала четвертой страной в мире, которая начала производить такое оборудование. Серийное производство установки планируется запустить в этом году. Установку разработали учёные и инженеры из АО «НИИТМ», НТЦ микроэлектроники РАН и ООО «Софт-Импакт». Созданное оборудование позволяет получать кристаллы на подложках диаметром до 200 мм. Специалисты подчеркивают, что этот процесс, известный как эпитаксия, стал основой для создания микрочипов. В процессе выращивания кристаллов используются специальные газы, которые при высокой температуре осаждаются на подложку, формируя необходимые слои. Установка может производить до 2000 пластин в год, что станет значительным объемом, учитывая, что на одной пл
Россия на пути к микроэлектронной независимости: создана установка для роста кристаллов полупроводников
29 марта 202529 мар 2025
1612
2 мин