Япония и США условились создать новый НИЦ по разработке микрочипов следующего поколения

Речь идет о разработке 2-нанометровых микрочипов

ТОКИО, 29 июля. /ТАСС/. Япония и США намерены открыть новый научно-исследовательский центр (НИЦ) по разработке микрочипов следующего поколения. Об этом в пятницу по итогам прошедших в Вашингтоне переговоров глав внешнеполитических и экономических ведомств Японии и США в формате "2+2" объявил министр экономики, торговли и промышленности Японии Коити Хагиуда.

"Мы условились активизировать работу по разработке современных микрочипов на основе нового научно-исследовательского центра", - отметил он. Речь идет о разработке 2-нанометровых микрочипов следующего поколения. Объект будет создан японским Институтом по исследованию чипов при сотрудничестве с Токийским университетом, Институтом естественных наук (Рикэн). Оборудование и специалисты будут взяты из Национального центра полупроводниковых технологий США.

Ранее сообщалось, что страны планируют исследовать передовые 2-нанометровые полупроводники, которые обеспечивают высокую производительность при меньшем энергопотреблении. Центр исследований и разработок будет включать в себя прототип производственной линии, его запуск планируется осуществить до конца года. Массовое же производство такой продукции планируется начать в Японии уже в 2025 году.

Касаясь темы прошедших переговоров, Хагиуда также подчеркнул, что стороны провели конструктивный диалог по широкому спектру экономических вопросов, и выразил уверенность в том, что первые в истории экономические переговоры между Японией и США в формате "2+2" станут основой для дальнейшего развития экономических отношений между двумя государствами и экономического развития всего Индо-Тихоокеанского региона.

Усиление взаимодействия США и Японии в области разработки и производства микросхем связано с желанием укрепить цепочки поставок и обеспечить экономическую безопасность на фоне мирового дефицита этого вида электронной продукции. Кроме того, Токио и Вашингтон опасаются ухудшения ситуации вокруг Тайваня, где сконцентрировано около 90% мировых мощностей по производству высокотехнологичных полупроводников в категориях 10-нанометров и менее.