Южнокорейский гигант Samsung, по сообщениям интернет-источников, уже на следующей неделе объявит о запуске массового производства полупроводниковых изделий с применением передового 3-нанометрового технологического процесса.
Речь идёт об использовании транзисторов с кольцевыми или всеохватывающими затворами GAA (Gate-All-Around).
Утверждается, что по сравнению с актуальными FinFET-транзисторами новый техпроцесс обеспечит возможность снижения энергопотребления на 50 %, повышения производительности на 30 % и сокращения занимаемой площади на 45 %.
По оценкам TrendForce, лидером глобального рынка производства полупроводниковых чипов является TSMC с долей 53,6 % в общем объёме продаж в денежном выражении (по итогам первого квартала 2022 года).
