Сибирские матрицы участвуют в дистанционном мониторинге Земли

Растущие санкционные ограничения в ответ на спецоперацию на Украине обнажили системные проблемы в отечественной микроэлектронике. В складывающихся условиях лишь прорывные технологии отечественных учёных и специалистов могут остановить этот разрушительный процесс. Свой весомый вклад в решении этой задачи вносит коллектив Института физики полупроводников имени А. В. Ржанова СО РАН.

Заместитель директора научного учреждения доктор физико-математических наук Александр Германович Милёхин рассказал о нескольких новейших разработках специалистов. Одно из них -фотоприёмная матрица размером 2 000 × 2 000 пикселей, использующаяся в дистанционном зондировании Земли в инфракрасном диапазоне. «Она чувствительна к тепловому излучению и при любой погоде, например, генерирует изображение высокой интенсивности в локациях пожаров», — пояснил учёный, добавив, что такие матрицы могут изготавливать только в трёх местах: в двух американских компаниях и в Новосибирском Института физики полупроводников имени А. В. Ржанова. В разработке надёжных систем мониторинга земной поверхности вовлечено свыше десяти институтов по всей Сибири, а также из Беларуси.

Ещё одной передовой разработкой являются мощные сверхвысокочастотные фотодиоды для передачи больших объёмов данных в сетях спутниковых коммуникаций (связи наземных антенн с центром управления) и для многоканального телевещания при передаче видео высокого разрешения в режиме реального времени. Эти устройства также создавались совместно с белорусскими коллегами. Деятельность специалистов двух стран в нынешнем году была удостоена премии академика В. А. Коптюга. «Схема создания таких фотодиодов достаточно сложна, она включает несколько технологических этапов, — отметил Александр Милёхин. — Сегодня на такие структуры есть запрос со стороны некоторых телекоммуникационных компаний России, поскольку эти изделия выпускаются только в нашем институте».

К другим достижениям в области высоких технологий также относятся созданные с участием ИФП СО РАН полупроводниковые лазеры с вертикальным резонатором для оптической передачи данных и при использовании в миниатюрных квантовых стандартах частоты. «Такие своего рода часы демонстрируют стабильность частоты порядка 10-11, то есть их погрешность составляет одну секунду за 4 000 лет», — уточнил учёный. По его словам, интерес к разработкам Института физики полупроводников имени А. В. Ржанова СО РАН со стороны индустриальных партнёров из радиоэлектронной отрасли в последнее время заметно возрос. Их интересуют, прежде всего, лазеры, фотоприёмные устройства, полупроводниковые транзисторы, биочипы. Кроме того, научное учреждение имеет возможность производить не только отдельные элементы, но и целые приборы.

«Сейчас российская промышленность, связанная с радиоэлектроникой, ведёт интенсивную работу с нашими исследовательскими институтами и ведущими университетами, ставя целью выпуск не только отечественной элементной базы, но и налаживание производства необходимых для этого чистых веществ, — дополнил председатель СО РАН Валентин Пармон. — Здесь очень широкая сфера деятельности, которая может быть локализована прежде всего в Томске и Новосибирске». Он подчеркнул, что Сибирское отделение РАН, как никакое другое региональное отделение Академии наук, нацелено на практические результаты.