В настоящее время производители систем контроля промышленной автоматики, медицинского оборудования, устройств управления электропитанием, коммуникационных систем, серверов, систем хранения данных широко применяют MRAM. Особенно это актуально при перебоях с электропитанием, а также в условиях перепадов температур.
Решения на основе MRAM позволяет заменить Flash, SRAM и даже EEPROM одновременно, что делает решения простыми и надежными, на 2 порядка снижается коэффициент программных ошибок. Последовательные MRAM работают на частоте 40 МГц, используется SPI интерфейс такой же как у FLASH и EEPROM, параллельные MRAM имеют асинхронный интерфейс по аналогии SRAM контроллеров.
Основные особенности:
- Тип корпуса BGA/DFN, низкий профиль, небольшие размеры;
- Неограниченное количество циклов записи;
- Возможность замены многих видов энергонезависимой памяти Flash/SRAM/ EEPROM/NVRAM/BBSRAM;
- Ёмкость до 16 Мбит на чип;
- Работа при входном напряжении от 3В;
- Структура ячейки (1T-1MTJ), транзистор + магнитный туннельный p/n переход;
- Высокоскоростные параллельный SRAM и последовательный SPI интерфейсы;
- Возможность считывания данных на высокой скорости без изменения состояния ячейки;
- Наименьший коэффициент программной ошибки;
- Соответствуют стандартам RoHS;
- Срок хранения данных не менее 20 лет
Начиная с апреля 2022г. доступны образцы MRAM от Netsol, разработчиков и производителей для получения образцов просим прислать заявку, в которой указать возможное использование MRAM на 22/23г на e.zhirkov@tellur-el.ru
