Примером может слу жить модуль SP6LI компании Microchip

го тока (согласно MIL-STD-750). VBR, Vth и VF внутреннего диода не подвержены влиянию повторяющегося UIS, что свидетельствует об отличной устойчивости к лавинному пробою. НИЗКОИНДУКТИВНЫЕ ТЕПЛООТВОДЯщИЕ КОРПУСА Следующей инструментальной частью решений проблем SiC-устройств является оптимизированный теплоотводящий корпус. Эффективный многокристальный корпус должен позволить использовать преимущества SiC, а не подавлять их. При проектировании учитывается множество требований. Поскольку кристалл SiC MOSFET сравнительно мал, параллельно подключается много транзисторов, чтобы добиться низкого сопротивления открытого канала. Кроме того, параллельно подключенные MOSFET должны переключаться за одинаковое время и с равномерным распределением тока, чтобы обеспечить симметрию и низкую индуктивность схем соединения кристаллов. Примером может слу жить модуль SP6LI компании Microchip, паразитная индуктивность которого составляет всего 2,9 нГн, тогда как типичное значение паразитной индуктивности обычных корпусов превышает 20 нГн. Индуктивность силового контура снижается за счет реализации соединений в сборных шинах с полосковой линией. Соединения с подложкой распределены симметрично и максимально близко к полупроводниковому кристаллу. что касается контура затвор–исток, то для каждого из 12 кристаллов используются независимые последовательные резисторы затвора, служащие для оптимальной синхронизации и распределения тока. Независимые резисторы затвора уменьшают паразитную индуктивность в контуре затвор–исток, защищая от одновременного включения двух плеч моста и минимизируя потери пр