Найти в Дзене
Степа Мельченкин

Дополнительная коммутация в схеме защиты от короткого замыкания позволяет уменьшить Rg

1
1 мин
Н е о бхо д и м о т а к ж е п р о в е р я т ь устойчивость к лавинному пробою, которая оценивается методом разблокированного индуктивного переключения (unclamped inductive switching, UIS). На MOSFET подается импульс напряжения, когда он находится в закрытом состоянии, что заставляет весь ток лавинообразно течь на периферию кристалла, поскольку его канал не открыт. Это испытание отличается от теста на стойкость при коротком замыкании, когда MOSFET находится в открытом состоянии и ток более равномерно распределяется по всей активной области устройства. чтобы точно имитировать реальные условия эксплуатации, на SiC MOSFET подаются повторные импульсы UIS; параметрическая стабильность и целостность оксида сравниваются до и после 100 тыс. повторяющихся импульсов при двух третях номинальн напряжение VGS гасит выбросы VDS и смягчает колебания всех трех сигналов. Прилагаемая программа помогает точно настраивать драйверы затвора на всех этапах проектирования одним щелчком

Н е о бхо д и м о т а к ж е п р о в е р я т ь устойчивость к лавинному пробою, которая оценивается методом разблокированного индуктивного переключения (unclamped inductive switching, UIS). На MOSFET подается импульс напряжения, когда он находится в закрытом состоянии, что заставляет весь ток лавинообразно течь на периферию кристалла, поскольку его канал не открыт. Это испытание отличается от теста на стойкость при коротком замыкании, когда MOSFET находится в открытом состоянии и ток более равномерно распределяется по всей активной области устройства. чтобы точно имитировать реальные условия эксплуатации, на SiC MOSFET подаются повторные импульсы UIS; параметрическая стабильность и целостность оксида сравниваются до и после 100 тыс. повторяющихся импульсов при двух третях номинальн напряжение VGS гасит выбросы VDS и смягчает колебания всех трех сигналов. Прилагаемая программа помогает точно настраивать драйверы затвора на всех этапах проектирования одним щелчком мыши, экономя многие часы, которые ушли бы на работу с паяльником. цифровые драйверы затвора повышают интеллектуальность устройств. Например, их можно использовать для запуска совершенно другого профиля выключения в случае неисправности, улучшив безопасность системы. Дополнительная коммутация в схеме защиты от короткого замыкания позволяет уменьшить Rg, а MOSFET – мягче и управляемее перейти в выключенное состояние с меньшей вероятностью возникновения лавинного процесса. К другим полезным функциям относятся выполняемые в режиме реального времени функции диагностики – контроль напряжения линии постоянного тока и температуры устройства. ВЫВОДЫ По мере перехода с использования кремниевых IGBT на SiC MOSFET разработчики силовой электроники все больше полагаются на поставщиков компонентов в вопросах обеспечения ключевыми элементами для создания комплексных системных решений. К этим элементам относятся SiC MOSFET с доказанной надежностью, мощные корпуса с очень малой индуктивностью и интеллектуальные драйверы затвора нового класса, упрощающие проектирование. Каждый из этих элементов является необходимым условием для оптимизации проектирования SiC-устройств, начиная с исходной оценки и заканчивая внедрением.