Найти в Дзене
Степа Мельченкин

Из-за ее наличия во внутреннем диоде (body diode) SiC MOSFET увеличивается не только сопротивление

1
2 мин
начительно варьироваться от одного поставщика к другому. Для проверки стабильности порогового напряжения (Vth) SiC MOSFET обычно применяют положительное (p-HTGB) и отрицательное (n-HTGB) в ы со коте м п ер ат у р н о е с м е ще ни е затвора к статистически значимому количеству устройств, а затем сравнивают значения Vth этой выборки до и после. Например, испытания pи n-HTGB были выполнены на наборах из 64 1200-В SiC MOSFET в течение 1000 ч. Среднее наблюдаемое изменение Vth составило 59,6 мВ после смещения p-HTGB и –22,8 мВ – после смещения n-HTGB. Такие уровни прогнозируемого напряжения позволяют проектировать приложения с высокой стабильностью параметров в течение продолжительного срока службы. Электрическая прочность оксидных слоев затвора имеет решающее значение для всех применений, особенно тех, которые требуют длительного срока службы. Для определения электрической прочности оксидного слоя исследуемого SiC MOSFET измерялся заряд до пробоя (QBD) на трех об

начительно варьироваться от одного поставщика к другому. Для проверки стабильности порогового напряжения (Vth) SiC MOSFET обычно применяют положительное (p-HTGB) и отрицательное (n-HTGB) в ы со коте м п ер ат у р н о е с м е ще ни е затвора к статистически значимому количеству устройств, а затем сравнивают значения Vth этой выборки до и после. Например, испытания pи n-HTGB были выполнены на наборах из 64 1200-В SiC MOSFET в течение 1000 ч. Среднее наблюдаемое изменение Vth составило 59,6 мВ после смещения p-HTGB и –22,8 мВ – после смещения n-HTGB. Такие уровни прогнозируемого напряжения позволяют проектировать приложения с высокой стабильностью параметров в течение продолжительного срока службы. Электрическая прочность оксидных слоев затвора имеет решающее значение для всех применений, особенно тех, которые требуют длительного срока службы. Для определения электрической прочности оксидного слоя исследуемого SiC MOSFET измерялся заряд до пробоя (QBD) на трех образцах 1200-В SiC MOSFET. Все наблюдаемые отказы оказались внутренними, что свидетельствует о высоком уровне зрелости технологии. Наработка до отказа и средняя наработка до отказа были рассчитаны с использованием большей выборки, состоящей из 192 устройств. Для p-HTGB эти значения составили 20 и 5618 лет; для n-HTGB – 93 и 1233 года, соответственно. Конечных пользователей должно обнадежить то, что эти результаты согласуются с отчетами о деградации подзатворного диэлектрика, полученными от нескольких поставщиков. явление биполярной деградации в p­n-переходах SiC-устройств в значительной степени изучено. Из-за ее наличия во внутреннем диоде (body diode) SiC MOSFET увеличивается не только сопротивление открытого канала, но и падение напряжения на диоде во время коммутации тока (проявляется в виде дрейфа характеристик в 3-м квадранте). К счастью, технологии материалов SiC MOSFET к настоящему времени стали достаточно совершенными, и количество дефектов кристаллов уменьшилось. Тем не менее, необходимо проводить оценку SiC MOSFET каждого поставщика. ученые из университета штата Огайо сравнили деградацию внутренних диодов после 100 ч под нагрузкой при полном номинальном токе (VGS = –5 В) у 1200-В SiC MOSFET нескольких поставщиков, выявив существенные различия в их рабочем состоянии. Деградация диодов отсутствовала у ключей только от одного поставщика (см. рис