Тщательное рассмотрение этих трех к лючевых элементов, несомненно, упростит анализ и проектирование

ВВЕДЕНИЕ После быстрого расширения ассортимента устройств на базе карбида кремния (SiC) перед отраслью встала задача упростить проектирование изделий конечными пользователями. Разработчикам систем питания требуются комплексные решения, которые не только помогают применять отдельные элементы в схемах, но и учитывают их взаимодействие. Другими словами, производители карбидокремниевых MOSFET должны не только обеспечить отличные характеристики и надежность устройств, но и помогать в решении задач разработчиков, предлагая рынку низкоиндуктивные корпуса, а также более сложные устройства – драйверы затвора для точной настройки параметров схем и дополнительной защиты. Тщательное рассмотрение этих трех к лючевых элементов, несомненно, упростит анализ и проектирование для тех, кто хочет извлечь выгоду из революционных схемотехнических решений, ставших возможными благодаря SiC-устройствам. НАДЕЖНЫЕ И СТОЙКИЕ SiC MOSFET Возможно, SiC MOSFET как наиболее критичное звено в цепях питания должны надежно работать в тех случаях, в которых прежде они были уязвимы. Как и у Si MOSFET, у карбидокремниевых ключей имеются такие внешние дефекты как примеси, центры рекомбинации (ловушки) и другие дефекты материала вблизи границы «оксид – полупроводник», вызывающие нестабильную работу устройств и ускоряющие их деградацию. устранение этих проблем требует, чтобы у SiC MOSFET для промышленных систем было стабильное пороговое напряжение, высокая электрическая прочность оксидного слоя затвора, надежность внутреннего диода и с т о й к о с т ь к лавинным пробоям. Каждая из этих характеристик должна быть проверена с помощью квалификационных испытаний, поскольку параметрическая стабильность и срок службы мо