При этом возможные потери эффективности составили бы 0,5%

олее линейная зависимость между COSS и VDS. Это значит, что в одной и той же цепи ключи CoolSiC можно использовать при меньшем значении внешнего резистора RG. Такая возможность бывает востребована в некоторых коммутационных топологиях, например в резонансных LLC DC/DC-преобразователях (см. рис. 5). Несмотря на многие преимущества технологии SiC, кремниевые ключи MOSFET нельзя просто заменить альтернативными SiC-устройствами, чтобы улучшить характеристики импульсных источников питания. Следует учитывать, что у внутреннего диода SiC MOSFET прямое напряжение примерно в четыре раза выше, чем у сопоставимого Si-устройства. Замена Si-ключей SiC-устройствами неизбежно приведет к потерям проводимости этого диода, которые примерно в четыре раза выше. При этом возможные потери эффективности составили бы 0,5% в условиях небольшой нагрузки. Для максимальной эффективности необходимо обеспечить протекание тока через канал MOSFET (синхронное выпрямление), а не через внутренний диод. На практике с этой целью изменяют величину мертвого времени таким образом, чтобы в полной мере реализовать преимущества SiC MOSFET. ВЫВОДЫ По мере того как на рынке появляется все больше решений SiC MOSFET класса 650 В, эта технология становится привлекательнее для использовании в широком ряду приложений. К ним относятся системы с эффективностью выше 97%, преобразователи с жесткой коммутацией, а также приложения с высокой мощностью. Заметим, однако, что у SiC и Si MOSFET – совершенно разные характеристики. Следует понимать, что во многих случаях в импульсных источниках питания можно по-прежнему успешно использовать кремниевую технологию, а для реализации всех преимуществ карбидокремниевых уст