Компания Alliance Memory выпустила микросхему памяти LPDDR4X со встроенным ECC, расширив ассортимент высокоскоростных мобильных CMOS с низким энергопотреблением. Являясь расширением SDRAM четвертого поколения LPDDR4, микросхема AS4C256M32MD4V-062BAN имеет на 50% меньшее энергопотребление по сравнению с предыдущим поколением.
Основные характеристики и преимущества AS4C256M32MD4V-062BAN:
- наличие ЕСС
- сертификация по AEC-Q100
- низкое рабочее напряжение 1,1/1,8 В
- высокая тактовая частота 1,6 ГГц
- высокая скорость передачи данных до 3.2 Гбит/с
- организация выстроена в виде двух каналов на устройство (по восемь внутренних банков память Х16 на канал)
- полностью синхронная работа
- встроенный датчик температуры контролирует частоту циклов обновления памяти
- диапазоны температур: автомобильный (от -40 до + 105 °C)
- представлен в корпусе 200-FBGA
Области применения AS4C256M32MD4V-062BAN:
- 5G, Искусственный интеллект (ИИ), Интернет вещей
- портативная электроника для потребительского, коммерческого и промышленного рынков
- автомобильные системы ADAS
Новое расширение LPDDR4X объемом 8 Гб с встроенным ECC на чипе, является продолжением четвертого поколения SDRAM LPDDR4 от Alliance Memory. Микросхема обеспечивает снижение энергопотребления на 50% для увеличения времени автономной работы портативной электроники для потребительского, коммерческого и промышленного рынков, включая смартфоны, умные колонки и другие IoT-устройства, использующие технологии ИИ и 5G. AS4C256M32MD4V-062BAN имеет высокую рабочую тактовую частоту 1,6 ГГц при скорости передачи данных 3,2 Гбит/с, обеспечивая повышенную эффективность при передачи аудио и видео сверхвысокого разрешения во встроенных приложениях. Для автомобильных применений, включая системы ADAS, микросхема памяти AS4C256M32MD4V-062BAN сертифицирована по стандарту AEC-Q100, работает в диапазоне температур от -40 до +105°C.
Серийное производство и заказ образцов уже доступны.
