История компании Everspin Technologies началась 9 июня 2008 г., когда корпорация Freescale объявила о решении создать самостоятельную компанию по производству новейшей на то время магниторезестивной памяти с произвольным доступом — MRAM . Этот тип памяти базируется на квантовых магнитных ячейках, основанных на эффекте Савченко. Технология MRAM сделала шаг вперед относительно всех существующих видов энергонезависимой памяти: в ней для хранения информации используется мангитная поляризация вместо электрического заряда. MRAM могут хранить информацию неограниченное количество лет, имея скорость чтения\записи, сравнимую со специальными быстродействующими модулями SRAM (Fast asynqSRAM). В технологии MRAM применяются маленькие, простые ячейки для получения памяти с большой удельной плотностью хранения информации и низкой стоимостью.
Авторы подробно рассматривают принцип работы MRAM, особенности ее применения, а также отвечают на вопрос, какую выгоду может получить разработчик, выбирающий способ организации хранения данных. В статье приведен обзор линейки устройств MRAM компании Everspin.
Обзор технологии MRAM
Магниторезистивная память с произвольным доступом (MRAM) компании Everspin объединяет магнитные запоминающие элементы со стандартным технологическим процессом КМОП-логики (CMOS), в результате чего достигается высокая логическая емкость, низкая стоимость, полная энергонезависимость, высочайшая скорость чтения/записи, как у SRAM, и неограниченное количество циклов чтения/записи — сочетание свойств, которым не обладает ни одна другая технология стандартной или энергонезависимой памяти.
Сравнение микросхем памяти с параллельным интерфейсом и произвольной выборкой объемом 1 Мбит различных технологий изготовления приведено в таблице 1.
Ячейка памяти MRAM Everspin состоит из одного управляющего транзистора и одной ячейки памяти на основе магнитного туннельного эффекта (Magnetic Tunnel Junction, MTJ). Изделия MRAM производятся на основе 180- и 130-нм CMOS-процесса, при котором используются пять уровней металлизации, включая шины программирования, окруженные материалом с высокой проницаемостью для концентрации магнитного потока. Запатентованная компанией Everspin архитектура, структура запоминающих элементов и технология режима переключения ячеек памяти обеспечили появление энергонезависимой памяти с наилучшими в своем классе производительностью и высокой надежностью.
Основные преимущества памяти MRAM приведены в таблице 2.
Общее описание MRAM
MRAM основана на магнитных запоминающих элементах, интегрированных в CMOS технологический процесс. Каждая ячейка хранения построена на базе MTJ. Сама MTJ-ячейка представляет собой структуру из нескольких слоев: слоя с фиксированной поляризацией, тонкого диэлектрического туннельного барьера и свободного магнитного слоя. Когда на такой MTJ-элемент подается смещение, электроны поляризуются магнитным слоем и пересекают диэлектрический барьер за счет процесса, известного как туннелирование. Таким образом, MTJ-элемент имеет малое сопротивление, когда магнитный момент свободного слоя сонаправлен магнитному моменту фиксированного слоя, и высокое сопротивление, когда магнитный момент свободного слоя противонаправлен магнитному моменту фиксированного слоя. Такие изменения сопротивления, вызванные изменением магнитного состояния устройства, известны как магниторезистивный эффект. Отсюда и произошло название — магниторезистивная RAM. В отличие от большинства других технологий изготовления памяти в MRAM данные хранятся как магнитные состояния вместо электрических зарядов и считываются путем измерения сопротивления ячейки, без влияния на ее магнитное состояние.
Использование магнитных состояний для хранения информации имеет два главных преимущества:
- магнитная поляризация не имеет утечек со временем, как это происходит с зарядом, таким образом, информация на запоминающей ячейке остается даже после отключения напряжения питания.1
- переключение магнитной поляризации между двумя состояниями не влияет на движение электронов или атомов, и, таким образом, нет механизма износа запоминающих ячеек.2
Чтобы получить высокую плотность памяти, ячейки MRAM, показанные на рис. 1, упорядочены в матрицу, в которой каждая шина записи перекрывает сотни или тысячи ячеек памяти, как показано на рис. 2. Во время выполнения операции записи импульс тока проходит через цифровую и битовую шины, изменяя значения только тех ячеек памяти, которые находятся на пересечении этих шин. Во время выполнения операции чтения изолирующий транзистор целевого элемента хранения данных открывается, создавая ток смещения MTJ, и полученный ток сравнивается с опорным током, чтобы определить состояние с высоким сопротивлением или с низким.
Режим переключения ячеек MRAM
Подход компании Everspin, состоящий в переключении состояния ячеек памяти, устраняет появление помех, создаваемых шиной записи, которое существует при других способах изменения состояния ячеек MRAM. Посредством использования запатентованной структуры слоя, расположения ячеек памяти и последовательности импульсов тока состояние ячеек памяти MRAM можно запрограммировать с помощью режима «триггера Савченко», названного так в честь его автора. Триггер использует одну и ту же последовательность импульсов, чтобы перейти из состояния «лог. 0» в состояние «лог. 1» или из состояния «лог. 1» в состояние «лог. 0». Каждый раз при подаче этой последовательности импульсов ячейка меняет свое магнитное состояние на противоположное. Этот тип переключения состояния отличается от рассмотренного на предыдущей схеме, где магнитный момент свободного слоя определялся приложенным магнитным полем. Поскольку режим переключения существенно отличается, то селективность становится значительно выше.
Квантовый переход Савченко основан на уникальном поведении свободного слоя из синтетического антиферромагнетика (synthetic antiferromagnet, SAF), который формируется из двух ферромагнитных слоев, разделенныхнемагнитным связывающим слоем. Это схематически изображено на рис. 3. Магнитные моменты свободного SAF переключаются между двумя возможными состояниями при определенной после довательности изменения магнитного поля. Электроны проходят через туннельный барьер из оксида алюминия (alumina, AlOx), что вызывает магниторезистивные явления, зависящие от направления магнитного момента чувствительного слоя. Свободный SAF-слой со сбалансированным моментом отвечает на приложенное магнитное поле не так, как одиночный ферромагнитный слой обычной MRAM.
Вместо того чтобы следовать за приложенным магнитным полем, два слоя с антипараллельной намагниченностью будут поворачиваться приблизительно перпендикулярно к приложенному магнитному полю. Последовательность импульсов тока используется для генерации вращающегося магнитного поля, которое передвигает элементарные магнитные моменты свободного слоя в положения, отличающиеся одно от другого на 180°.
На рис. 4 показана схема переключения ячейки MRAM с помощью последовательности полей, используемой для перевода элемента свободного слоя из одного состояния в другое. Поля H1, H1+H2 и H2 создаются проходящими через шины записи токами i1 и i2. Чтобы использовать уникальный ответ свободного слоя на внешнее поле, используется двухфазная последовательность импульсов программирования, показанная на рис. 5, таким образом магнитные моменты SAF-слоя поворачиваются на 180°. Из-за имеющейся в системе симметрии эта же последовательность импульсов переводит ее в противоположное состояние, независимо от текущего состояния. Поэтому для определения, требуется ли выполнение процедуры записи (а фактически — перевод ячейки в противоположное состояние), необходима операция предварительного чтения. Из-за особенностей получения ответа слоя SAF на приложенные поля, когда одна шина не может переключить состояние ячейки, обеспечивается значительно лучшая селективность, чем в предыдущих методах переключения ячеек MRAM.
На рис. 6 показана зона рабочих значений токов для памяти объемом 4 Мбит. В области ниже порога переключения состояние ячеек не меняется и поэтому не зависит от тока, протекающего только по одной шине записи(полувыборка). Бóльшая область рабочих значений тока, расположенная выше порога, соответствует характеристике одной ячейки памяти. В промежуточной зоне показаны линии значений тока, при которых может происходить взаимное влияние ячеек друг на друга. Следует отметить, что взаимное влияние ячеек отсутствует вплоть до больших значений, что отражает высокую стойкость к помехам по одной активной шине записи.
Внешние магнитные поля и MRAM
Все изделия MRAM компании Everspin спроектированы так, что они не изменяют хранимые данные под действием внешних магнитных полей с напряженностью вплотьдо 2000 А/м при выполнении операции записи и до 8000 А/м при выполнении операциичтения или в неактивном режиме.
Стойкость MRAM от Everspin к магнитному полю соответствует международному стандартуЕвросоюза IEC-61000-4-8, который регламентирует минимальное значение 1000 А/м для неразрушающего магнитного поля.
Сравнение с другими технологиями памяти
Память MRAM обладает лучшими свойствами энергозависимой и энергонезависимой памяти. MRAM от Everspin имеет время выборки для чтения/записи, равное 35 нс, с неограниченным количеством циклов перезаписи, напоминая стандартную SRAM или 40-МГц память с байтовой адресацией, неограниченным количеством циклов перезаписи и SPI-интерфейсом. MRAM действует быстрее, чем многие микросхемы SRAM в режиме резервного питания от внешней батареи.
Произвольный доступ к ячейкам MRAM более быстрый, чем к DRAM, и не требует регенерации для сохранения данных. MRAM является энергонезависимой памятью, такой как Flash или EEPROM, поскольку сохраняет данные даже при полном отключении источника питания. В отличие от Flash или EEPROM для MRAM можно выполнять запись данных в произвольную ячейку памяти с той же скоростью, что и чтение (35 нс). Кроме того, она имеет неограниченное количество циклов перезаписи, и в настоящее время неизвестен механизм старения ячеек памяти.
Магнитные ячейки памяти MRAM могут сохранять данные более 20 лет при максимальной рабочей температуре и без подачи напряжения питания, показывая превосходные для энергонезависимой памяти характеристики. Flash-память является программируемой поблочно энергонезависимой памятью, для которой требуется значительное время на стирание информации (секунды). Она также имеет малую скорость записи страницы (>100 мкс). EEPROM является энергонезависимой памятью с произвольным доступом, но она имеет большое время произвольной записи (миллисекунды).
Интерфейс SPI компании Everspin не имеет задержки при записи или ограничения на работу только с полной страницей, как в традиционных микросхемах EEPROM. Как для Flash, так и для EEPROM-памяти необходимо высокое внутреннее напряжение при записи и большое время программирования. Операция программирования приводит к разрушению плавающих затворов, поэтому количество циклов записи ограничено диапазоном от 10 000 до 1 000 000. Операции записи уменьшают время хранения информации, со временем снижая надежность хранения.
Микросхемы SRAM с резервным батарейным питанием — это вид энергонезависимой памяти с произвольным чтением/записью, которые имеют одинаковое время чтения/записи, сравнимое с MRAM. Однако для них необходима связка из батареи и энергонезависимого контроллера, которая увеличивает занимаемое на печатной плате место и сложность системы. Батарея менее надежна, чем магнитное ЗУ типа MRAM, и создает трудности при сборке, демонтаже и при обслуживании, что не всегда приемлемо.
Интеграция магнитных устройств со CMOS-структурами
Схематическое изображение интегрированной ячейки MRAM от Everspin для архитектуры 1T-1MTJ показано на рис. 7. Модуль MRAM интегрирован между последними двумя слоями металлизации в стандартном технологическом процессе полупроводников. MRAM называется оконечным модулем, поскольку он устанавливается после всех связанных CMOS-схем. Эта схема интеграции не требует никаких изменений в последовательности CMOS-процесса. Такая последовательность слоев в структуре ячейки памяти отделяет процесс с участием магнитных материалов от стандартного CMOS-процесса. Подобная схема интеграции удобна для встраиваемых решений, таких как процессор или микроконтроллер.
Например, для процессора может понадобиться некоторый объем быстрой встроенной памяти и некоторое количество встроенной энергонезависимой памяти: MRAM может обеспечить оба требования. Поскольку модуль MRAM независим от CMOS-схемы сопряжения, функции MRAM можно добавить без изменения логического CMOSпроцесса. Эти свойства обеспечивают низкую стоимость и высокую производительность во многих системах с архитектурой «система на кристалле» (SoC). Состав и характеристики семейства микросхем MRAM приведены в таблице 3.
Области применения MRAM
Благодаря своим уникальным особенностям, память MRAM находит широкое применение в областях, в которых до недавнего времени использовалась только стандартная память (табл. 4).
Заключение
Микросхемы памяти MRAM Everspin являются революционными запоминающими устройствами, которые обеспечивают высочайшую плотность хранения информации, наилучшее соотношение цена/производительность и наивысшую степень надежности по сравнению со всеми альтернативными типами энергонезависимой памяти. Базовая технология MRAM позиционируется как встраиваемая память с высокой плотностью и низкой стоимостью и способна заменить Flash, SRAM и EEPROM единой унифицированной памятью в будущих микроконтроллерах и SoC. MRAM позволяет сократить количество типов применяемой в устройствах памяти. Все это делает память MRAM весьма привлекательной как для использования в качестве дискретного компонента, так и в качестве различных типов встроенной памяти для микропроцессоров и микроконтроллеров. Использование MRAM в качестве основной системной памяти позволяет гибко распределять общую память под ОЗУ и ПЗУ в зависимости от требований приложения.
