Вчера я опубликовал статью, в которой предложил новую конструкцию транзистора с круговым затвором для микропроцессоров. Мои дорогие читатели активно откликнулись на эту публикацию и, в свою очередь, предложили свои довольно интересные варианты конструкций. Давайте их рассмотрим.
Сначала напомню свой вариант, транзистор с диагонально-крестовым каналом:
Плюсами по сравнению с классическими нанонитевыми и нанолистовыми GAAFET-транзисторами является монолитный канал, исключающий перекос токов в параллельных каналах и, как следствие, более равномерный нагрев и увеличенный период деградации. В то же время, затвор обволакивает канал максимально проникающим образом, практически так же, как и классические нанонитевые каналы — каждую нить со всех четырёх сторон.
Кроме того, появляется возможность впихнуть в тот же самый объём транзистора центральный гребень, увеличивая тем самым общий ток транзистора, а чем выше ток, тем выше можно поднять частоту.
Теперь, вот что предложили читатели. Транзистор с диагонально-полукрестовым каналом:
Вместо одной из нижних веток креста использованы классические гребни FinFET. С одной стороны, это немного уменьшает проникновение поля затвора в канал из=за замены двух нитей одним гребнем, но, с другой стороны, слегка меняет характеристики транзистора, повышая теплоотвод канала в подложку и потенциально увеличивая тем самым максимально возможную частоту процессора, хотя он и остаётся при этом в рамках того же самого теплопакета.
Также читателями был предложен ещё один очень интересный вариант конструкции канала, диагонально-нитевой:
В данной конструкции помимо монолитной диагонали с расширенными окончаниями используются три отдельные нити — две обычные, находящиеся в рамках рассматриваемой матрицы 5х5, и одна расширенная, аналогичная по ширине центральной увеличенной нити, которая ограничивает собой область канала верху.
С одной стороны, затвор транзистора получается чуть выше. С другой — увеличился и максимальный ток транзистора, а форма затвора в верхней части благодаря этой дополнительной нити стала округлой, что поспособствовало более равномерному распределению поля затвора между нитями канала.
Наличие трёх отдельных нитей в целом способствует более тонкому регулированию характеристик транзистора. При этом основной ток идёт по пути наименьшего сопротивления — по семи диагональным объединённым в монолит нитям, поэтому перегрева отдельных нитей не происходит, что позволяет им выполнять стабидизирующую функцию и, при необходимости, функцию тонкой настройки режима.
Собственно, на этом всё. Ставьте нравлики, подписывайтесь на мой канал и обязательно напишите в комментариях, что вы думаете насчёт предложенных конструкций. А может, у вас появятся ещё какие-нибудь варианты? :-)
