Найти тему

Семейство SiC-MOSFET на 650 В третьего поколения от Wolfspeed

Компания Wolfspeed (Cree) выпустила семейство SiC-МОП транзисторов на напряжение 650 В третьего поколения C3M.

Области применения SiC-МОП транзисторов 650 В: 

  • общепромышленные источники питания 
  • серверное/ телекоммуникационное оборудование
  • зарядные станции электромобилей/электробусов
  • системы накопления энергии (СНЭ/ESS)
  • источники бесперебойного питания (ИБП/UPS)
  • системы управления аккумуляторными батареями (BMS)

Особенности SiC-МОП транзисторов 650 В:

  • низкое сопротивление в открытом состоянии от температуры
  • низкие паразитные ёмкости
  • быстрый боди-диод с ультранизким обратным восстановлением
  • высокая рабочая температура (TJ = 175°C)
  • кельвин-пин 

Преимущества SiC-МОП транзисторов 650 В:

  • повышает эффективность системы с меньшими потерями на переключение и проводимость
  • позволяет работать на высокой частоте переключения
  • улучшает плотность мощности на уровне системы
  • уменьшает размер системы, вес и упрощает охлаждение
  • удовлетворяет требованиям новых топологий с жестким переключением (Totem-Pole PFC)

Каталог силовых приборов Wolfspeed (Cree).

Макро Групп является официальным дистрибьютором Wolfspeed в России.