Использование солнечной энергии является перспективным направлением, однако современные технологии не позволяют полностью перейти на этот метод, отказавшись от традиционных и менее экологичных решений. Исследователи из Национальной лаборатории возобновляемой энергии (США) уверяют, что им удалось совершить технологический прорыв в области солнечных элементов, который ранее считался невозможным.
Традиционная технология паровой фазовой эпитаксии гидрида (HVPE) долгое время считалась наилучшей техникой для производства светодиодов и фотоприёмников. В 1980-х годах появился более эффективный метод MOVPE. После длительных экспериментов учёные рапортуют о создании новой техники D-HVPE, которая позволит совершить прорыв в выпуске солнечных батарей нового поколения.
Как сообщается, исследователи успешно интегрировали источник алюминия в свой гидридный парофазный эпитаксиальный реактор (HVPE), а затем продемонстрировали рост полупроводников фосфида алюминия-индия (AlInP) и фосфида алюминия-галлия-индия (AlGaInP) с помощью этой методики. Ранее считалось, что сделать это невозможно.
Благодаря своим особенностям технология D-HVPE значительно сокращает время изготовления солнечного элемента. Она позволяет за одну минуту произвести солнечную батарею, на производство которой с помощью MOVPE потребуется час или два. Однако MOVPE всё ещё обладает другим важным преимуществом — возможностью создавать максимально эффективные солнечные элементы.
«Мы пытались продвигать технологию поэтапно, а не делать всё сразу. Мы подтвердили, что можем выращивать высококачественные материалы. После этого научились выращивать более сложные устройства. Следующим шагом для развития технологии является алюминий», — рассказывают специалисты.
Ранее исследователи из Национальной лаборатории возобновляемой энергии научились изготавливать солнечные элементы из арсенида галлия (GaAs) и фосфида индия-галлия (GaInP). После того как дешёвый алюминий был добавлен в смесь, исследователи надеются достичь паритета в эффективности с MOVPE.
Источник: scitechdaily.com
