Де-факто лидер Samsung Electronics Ли Чже Ён в четверг обсудил стратегию технического гиганта по внедрению первой в мире 3-нм технологии для производства компьютерных чипов.
Ли посетил центр исследований и разработок полупроводников компании в Хвасонге, провинция Кёнги, в качестве своего первого «официального жеста» по управлению на местах в 2020 году.
Наследник Samsung рассказал о планах компании по коммерциализации передовых микросхем, которые будут основаны на 3-хнанометрном технологическом процессе под названием «gate-all-around (GAA)». Данная технология пока находится в стадии разработки.
GAA известен как архитектурный преемник современной технологии FinFET, которая позволяет производителям микросхем расширять нанометровый диапазон для микросхем.
В апреле прошлого года Samsung завершила разработку 5-нм техпроцесса FinFET, основанного на экстремальных ультрафиолетовых технологиях. Сейчас компания работает над техпроцессом следующего поколения.
По словам компании, по сравнению с 5-нм техпроцессом 3-нм технология GAA обеспечивает повышение эффективности логической области более чем на 35 процентов при снижении энергопотребления на 50 процентов и повышении производительности примерно на 30 процентов.
«Визит Ли в центр исследований и разработок в области полупроводников еще раз подчеркивает стремление Samsung стать ведущим производителем чипов в области логических микросхем», - сказал представитель Samsung.
В прошлом году Samsung объявила об инвестиционном плане в размере 133 триллионов вон (111,85 миллиардов долларов) с целью стать мировым лидером по производству «системы на кристалле» к 2030 году.
Сонг Су Хен (song@heraldcorp.com)
#samsung #самсунг #южнаякорея #корея #микросхемы #технология #гаджеты #промышленность #компьютер #электроника #бизнес #инвестиция
