Найти тему
ASUTPP

Что такое P-N переход: объясняю простыми словами

Оглавление

В составе большинства современных электронных устройств обязательно присутствуют особые компоненты, называемые диодами, конденсаторами, транзисторами или микросхемами (фото ниже).

В основу их работа заложены физические процессы, протекающие в зоне контакта двух полупроводников различной проводимости, обозначаемых как P и N. Для понимания сути этих процессов сначала следует разобраться, что собой представляет каждый из этих элементов и как образуются энергетические переходы на границе между ними.

Что это такое

Существующие в природе вещества с точки зрения их электропроводности подразделяются на следующие типы:

  • Электрические проводники.
  • Изоляторы.
  • Полупроводники.

В первых всегда имеется достаточное количество свободных (оторвавшихся от своих атомов) электронов, а во вторых материалах их совсем мало. Поэтому проводники хорошо переносят электрические заряды (пропускают ток); в диэлектриках же при обычных напряжениях этого не наблюдается.

Хорошо известен еще один вид материалов, в которых содержание свободных носителей зарядов в нормальных условиях совсем невелико. Поскольку они все же имеются в наличии в этих элементах – их назвали полупроводниками.

Обратите внимание: Под воздействием света, при нагревании или при добавлении небольшого количества примесей количество свободных частиц в этих материалах возрастает.

Вследствие этого они приобретают свойства проводников электричества.

Принцип работы перехода

В зависимости от типа химической примеси, добавленной в структуру чистого полупроводникового вещества, в нем появляется либо избыток свободных электронов, либо, напротив – их начинает недоставать. На месте отсутствующего носителя образуется так называемая "дырка" в виде лишенного одного электрона атома, по сути представляющая собой положительный заряд.

Материалы, в которых вследствие диффузии появляется избыток дырок называются полупроводниками P типа (positiv), а те, что образуют при этом много электронов – N (negativ) типа.

Особый интерес представляет ситуация, когда из двух типов полупроводниковых материалов образуется контактная зона (так называемый "P-N переход"). В нормальном состоянии на границе двух материалов из-за взаимной диффузии дырок и электронов в противоположную структуру образуется непроводящий слой (порядок его образования – на фото ниже).

-2

Но если к нему приложить прямое напряжение – оно вызовет перемещение электронных носителей в сторону р-области и такой же поток дырок в зону с избытком электронов.

Поскольку оба эти элемента при преодолении перехода переносят электрический заряд – в цепи начнет течь постоянный ток (фото ниже).

-3

При подаче на переход напряжения противоположной полярности как электроны, так и дырки под воздействием ЭДС оттянутся от него. Поскольку собственных переносчиков электрического заряда в этой области не имеется – ток через него не потечет (или будет микроскопически мал).