При просмотре данных-даташиты на силовые полевые MOSFET транзисторы,можно увидеть аббревиатуру"HEXFET".
На мосфет полевой транзистор К2038 этой надписи нет,а на транзистор кп901 и подавно.
Все эти транзисторы-полевые,МОП или МДП транзисторы с изолированным затвором.Сопротивление открытого канала-Rds у КП901 составляет около 7Ом,у К2038 1.8Ом,у транзистора irf3205-всего 8мОм.
Ток стока irf3205 составляет 110А.
Rds-сопротивление открытого канала исток-сток.От этой характеристики зависит нагрев полевого транзистора,и с нагревом сопротивление будет увеличиваться и изменяться характеристики.Чем меньше сопротивление Rds,тем меньше сопротивления будет оказывать транзистор току,тем будет меньше нагрев корпуса транзистора.
Полевые транзисторы фирмы IRF(международный выпрямитель,так называется фирма),типа irf3205 изготовлены по технологии HEXFET.Внутри этих транзисторов находятся тысячи полевых транзисторов в шестиугольнике-гексагон.Они соединены так,что сопротивление Rds уменьшено а ток стока на некоторые транзисторы достигает более ста Ампер.
Эта технология разделена на семейства.Семейство"3"-это транзисторы повышенной стойкости,больше значения dv/dt,лучше характеристики переключения,лучше безопасность работы при переходных процессах,больше рабочая температура-до 175С.Устойчивость к лавинному пробою может быть многократна.При использовании транзистора HEXFET 3 можно удалить из схемы компоненты фиксации напряжения,например из схем импульсных блоков питания,где ограничивают напряжение,возникающее при выключении,когда быстрое изменение тока вместе с индуктивностью трансформатора создают условия лавинного пробоя транзистора.
