На каждый полевой транзистор есть характеристики,их можно скачать в интернете,но они указаны на английском языке.Здесь переведу эти данные и что обозначают аббревиатуры.
-HEXFET transistor-это такая технология,при которой в одном транзисторе соединены параллельно сотни полевых транзисторов,тем самым снизив сопротивление сток-исток транзистора
-gfs -крутизна передаточной характеристики,равна отношению изменения тока стока к изменению напряжения на затворе.S-измеряется в Сименсах
-RDS(on)-сопротивление сток исток открытого канала .Зависит от температуры Ом
-BVdss/Tj-температурный коэффициент напряжения пробоя
-Vgs(th)-пороговое напряжение включения транзистора.Напряжение между затвором и истоком V
-Vgs-максимальное напряжение затвор-исток V
-VDS-напряжение сток-исток V
-BVDss-напряжение сток-исток при котором наступает пробой перехода V
-IGSS gate -to source leakage forward/reverse-ток утечки затвора,наноамперы
-IDSS-ток утечки стока мкА
-Qg total gate charge-заряд,который нужно сообщить затвору для открытия транзистора
-Qgs-заряд емкости затвор-исток
-Qgd-заряд затвор сток(емкость Миллера)
-EAS-максимальная энергия единичного импульса на стоке.мДж
-IAR или ID-максимальный непрерывный ток стока А
-EAR-максимальная энергия одного импульса на стоке.мДж
-dv/dt-предельная скорость нарастания напряжения В/нС
-Tj-рабочая температура
-td(on);tr;td(off);tf-время открытия,время нарастания импульса открытия,время закрытия и время затухания импульса
-Ciss-входная емкость затвор- исток и затвор -сток
-Coss-выходная емкость затвор-исток и исток-сток
-VSD diode forward voltage- падение напряжения на диоде,который находиться между истоком и стоком V
-trr reverse recovery time-время обратного восстановления диода нС
-QRR-заряд восстановления диода
-IDM pulsed drain current-максимальный импульсный ток стока А
-PD-рассеивающая мощность транзистора,максимальная Вт
