Во вторник Samsung Electronics объявила о завершении 5-нанометрового процесса FinFET, основанного на экстремальной ультрафиолетовой технологии (EUV), в результате активных усилий по укреплению фаундри-бизнеса с целью стать лидером рынка к 2030 году.
В дополнение к завершению 5-нм технологического процесса, основанного на EUV, Samsung также заявила, что начнет в этом месяце поставки чипов, изготовленных по 7-нанометровому технологическому процессу компании, что является первым в фаундри-индустрии, и намерена начать массовое производство 6-нм продуктов в течение года.
По сравнению с 7 нм, технология 5 нм FinFET обеспечивает увеличение эффективности логического сегмента до 25% при снижении энергопотребления на 20% или на 10%.
Как и его предшественник, технология 5 нм использует литографию EUV в паттернировании металлических слоев и уменьшает слои маски, обеспечивая лучшую точность воспроизведения.
Технология литографии EUV позволяет производителям микропроцессорных микросхем создавать сложные микросхемы, необходимые для приложений для искусственного интеллекта, высокопроизводительных вычислений, автомобильных систем и решений 5G.
Еще одно ключевое преимущество 5 нм заключается в том, что клиенты могут повторно использовать все интеллектуальные собственности по 7-нм технологиям в отношении 5 нм, что позволяет им переходить с 7 нм на 5 нм с уменьшенными затратами на переход и предварительно проверенной экосистемой проектирования, что поможет сократить время на разработку 5-нанометровых продукции, по словам Samsung.
«Успешно завершив нашу 5-нм разработку, мы доказали свои возможности в узлах на основе EUV», - сказал Чарли Бэй, исполнительный вице-президент фаундри-бизнеса Samsung. «В ответ на растущий спрос клиентов на передовые технологии для дифференциации их продуктов следующего поколения, мы сохраняем нашу приверженность к ускорению массового производства технологий на основе EUV».
Samsung уже объявила о готовности и начальном производстве 7-нм техпроцесса, ее первого технологического узла.
В компании сообщили, что она сотрудничает с клиентами в сегменте 6 нм и уже получила тейпаут своего первого 6 нм чипа.
Технологии Samsung, основанные на EUV, в настоящее время производятся на линии S3 в Хвасоне, провинция Кёнги. Компания расширит свой мощности EUV до новой линии EUV, которое, как ожидается, будет завершено во второй половине этого года, и начнет наращивать производство со следующего года.
Сонг Су Хен (song@heraldcorp.com)
#herald #heraldkorea #южнаякорея #southkorea #korea #корея #samsung #электроника #чипы #компьютер #литография #технология #технологическийпроцесс #полупроводник #samsungelectronics #процессор #микросхема