Компания Samsung Electronics сообщила, что в воскресенье на крупнейшем в мире заводе по производству микросхем Samsung Electronics запустила вторую производственную линию в Пхёнтхеке, провинция Кёнги, для массового производства самых современных мобильных модулей DRAM.
По словам технологического гиганта, на конвейере была изготовлена первая в отрасли передовая мобильная DRAM-память третьего поколения с 10-нанометровым уровнем (1z) LPDDR5 с использованием технологии экстремального ультрафиолета (EUV).
Samsung заявила, что 16-гигабайтная мобильная память DRAM обладает высочайшей производительностью мобильной памяти и наибольшей емкостью, чтобы позволить большему количеству потребителей в полной мере использовать преимущества 5G и функций искусственного интеллекта в смартфонах следующего поколения. Продукт имеет скорость 6400 мегабит в секунду, что на 16 процентов быстрее, чем у нынешней 12-гигабайтной мобильной DRAM для флагманских смартфонов. Он может обрабатывать 51,2 гигабайт в секунду, что эквивалентно примерно 10 фильмам высокой четкости.
В новой мобильной DRAM можно также сконфигурировать 16-гигабайтные продукты с использованием всего лишь восьми микросхем, что делает корпус на 30 процентов тоньше, чем его предшественник, и позволяет смартфонам с 5G и мультикамерами, а также складным устройствам объединять больше функций в тонком корпусе.
Samsung заявила, что также расширит использование своих предложений LPDDR5 в автомобильных приложениях, предлагая расширенный температурный диапазон для соответствия строгим стандартам безопасности и надежности в экстремальных условиях.
«16-гигабайтный LPDDR5 на базе 1z поднимает отрасль на новый порог, преодолевая серьезное препятствие на пути развития масштабирования DRAM на продвинутых узлах», - сказал Ли Чжун Бэ, исполнительный вице-президент по продуктам и технологиям DRAM в Samsung Electronics.
«Мы продолжим расширять нашу линейку модулей памяти DRAM премиум-класса и превосходить потребности клиентов, поскольку мы играем руководящую роль в росте рынка памяти».
По словам технологического гиганта, помимо массового производства DRAM, вторая линия в Пхёнтхэке превращается в высокотехнологичную сложную производственную линию, которая будет производить V-NAND и ультратонкие продукты нового поколения.
Samsung начала строительство своей второй производственной линии в Пхёнтхэке в мае, чтобы подготовиться к спросу на передовые продукты на основе EUV. В июне компания также начала строительство линии по производству флэш-памяти NAND, чтобы удовлетворить возросший спрос на высокотехнологичные продукты V-NAND. Обе линии планируют вывести на полную мощность со второй половины 2021 года.
Производитель микросхем заявил, что вторая линия в Пхёнтхэке была построена в рамках планов по инвестированию 180 триллионов вон (152 миллиарда долларов США) и созданию 40 000 рабочих мест, объявленных в августе 2018 года. Более 30 триллионов вон будут инвестированы во вторую линию для создания около 30 000 рабочих мест, включая вакансий в партнерских фирмах и строительных компаниях.
Шин Джи Хе (shinjh@heraldcorp.com)
#южнаякорея #корея #гаджеты #электроника #промышленность #экономика #компьютер #бизнес #инвестиции #финансы