Первые микросхемы QLC, анонсированные Intel и Micron, на треть превосходят по емкости TLC и позволяют хранить терабит данных.
Твердотельные накопители станут еще более емкими и дешевыми. Компании Intel и Micron анонсировали начало производства первых микросхем флеш-памяти Quad-Level Cell, емкость которых по сравнению с существующими сегодня технологиями вырастет на треть.
Технология QLC позволяет хранить в ячейке NAND четыре бита, превосходя в этом смысле популярные сегодня микросхемы TLC (Triple-Level Cell) NAND.
По мере увеличения спроса на все более емкие устройства производители твердотельных накопителей предпринимают попытки интеграции в свои продукты дополнительных слоев, которые помогли бы удовлетворить существующие потребности. Микросхемы QLC станут самыми емкими и позволят хранить на одном кристалле 1 терабит данных.
Емкость SSD постепенно растет. В первых твердотельных накопителях использовались ячейки Single-Level Cell, хранившие один бит данных. Затем появились технологии Multi-Level Cell и Triple-Level Cell, обеспечивающие хранение соответственно двух и трех битов в одной ячейке. С появлением QLC производители флеш-памяти выходят на новый этап развития.
«Представляя технологию NAND с четырьмя битами в ячейке, мы увеличиваем плотность размещения данных на треть по сравнению с TLC, что позволяет наладить выпуск первых коммерческих кристаллов емкостью 1 терабит в истории полупроводниковой отрасли, – заявил исполнительный вице-президент компании Micron по технологическим разработкам Скотт де Бур. – Технологические инновации позволили нам создать 96-слойную структуру и размещать еще больше данных в меньшем пространстве, что открывает новые возможности в части рабочей нагрузки и проектирования приложений».
Корпорация Intel, ведущая совместные с Micron исследования, также заявила о достигнутом технологическом прогрессе.
«Коммерческое использование ячеек, позволяющих хранить четыре бита данных, открыло путь к появлению микросхем емкостью 1 Тбит, ставших новой важной вехой в истории развития энергонезависимой памяти, – указал вице-президент Intel по разработке энергонезависимой памяти Рагупати Гиридхар. – Это создает условия для многочисленных технологических инноваций, расширяющих возможности Floating Gate 3D NAND. Переход к хранению четырех бит в ячейке помогает вывести на новый уровень плотность хранения в независимых ЦОДах и во внутрикорпоративных ИТ-системах, что ведет к дальнейшему снижению затрат».
Помимо прорыва QLC руководство Intel и Micron анонсировало выпуск продуктов 3D NAND третьего поколения с увеличением числа слоев в полтора раза. В обеих компаниях отмечают, что при производстве используется технология CMOS under the Array (CuA), позволяющая уменьшить размеры кристалла и добиться роста производительности. Выпуск 300-миллиметровых подложек для новых микросхем QLC налажен на фабриках Micron в Сингапуре и на производственных предприятиях Intel.
Конкретные сроки начала поставок пока не называются. Цены также не объявлены. Но поскольку микросхемы TLC NAND применяются обычно в бюджетных средствах хранения, есть основания рассчитывать на дальнейшее снижение цен на твердотельные накопители после появления новых продуктов.
Для желающих опробовать новые технологии в действии компания Micron анонсировала первый твердотельный накопитель, адресованный владельцам ЦОДов с поддержкой QLC. Устройства семейства Micron 5210 ION в стандартном корпусе для установки в 2,5-дюймовый отсек оснащаются интерфейсом SATA и имеют емкость от 1,92 Тбайт до 7,68 Тбайт.