Устройства на нитрид-галлиевых транзисторах, обладающие более высокой эффективностью и меньшими габаритами, до сих пор могли работать с малым напряжением.
При преобразовании электроэнергии в выпрямителях, трансформаторах и прочих устройствах неизбежны потери энергии. В последнее время на рынке появились устройства на нитрид-галлиевых транзисторах, обладающие более высокой эффективностью и меньшими габаритами, но до сих пор они могли работать лишь с напряжением до 600 В, что ограничивает их область применения бытовой электроникой.
Группа исследователей из Массачусетского технологического института, компаний IQE и IBM, Колумбийского университета и исследовательского центра SMART, созданного МТИ и Сингапурским фондом науки разработала новую конструкцию транзистора, с которыми устройства могут работать с напряжениями до 1200 В, а в перспективе — и до 5000 В. Их можно будет применять даже в электрических сетях.
Авторы использовали так называемую вертикальную схему устройства, в которой ток идет не в тонком слое у поверхности полупроводникового материала, а через его объем, благодаря чему тепло рассеивается гораздо равномернее. Но изготовление нитрид-галлиевых транзисторов вертикального типа до сих пор было сложным и дорогим. Авторы изобрели новую схему вертикального транзистора, в которой в слой нитрида галлия не нужно встраивать барьеры из другого материала, направляющего ток через затвор.