Энергонезависимая память с изменением фазового состояния использует экспериментальный материал.
Физики Шанхайского института микросистем и информационных технологий Академии наук Китая объявили об успешной разработке нового материала с изменением фазового состояния. Открытие, как ожидается, позволит в 70 раз повысить скорость хранения данных в электронных приборах.
Результаты экспериментов группы под руководством Сун Чжитана показывают, что скорость записи в память с изменением фазового состояния /PCRAM/, созданную с использованием нового материала, достигла 700 пикосекунд.
Для сравнения: максимальная скорость записи в действующих PCRAM из сплава германия, сурьмы и теллура составляет лишь 50 наносекунд, что равняется 50 тыс. пикосекунд.
PCRAM — один из типов энергонезависимой памяти, основанный на свойстве халькогенидов, которые при нагревании могут «переключаться» между двумя состояниями: кристаллическим и аморфным. При разработке нового материала китайские ученые использовали сплав из скандия, теллура и сурьмы.
Как сообщил Сун Чжитан агентству Синьхуа, для проверки целесообразности использования нового материала он с коллегами планирует применить его для разработки чипов памяти.