В Дальневосточном федеральном университете (ДВФУ, Владивосток) разработали концепт новой технологии высокоскоростной энергонезависимой памяти без ограничений по количеству циклов записи. Такие модули будут работать на спиновом токе, а функцию носителя информации в новом типе памяти будет выполнять скирмиониум, Что это такое?
Речь идет о разработке нового вида модулей беговой памяти* (racetrack memory, DWM) для работы с большими объемами данных и повышения их сохранности. В основе его – магнитный материал и скирмонимум в нем. Раньше в научных исследованиях уже встречалось близкое понятие «скирмион» - это топологически устойчивый вихреподобный участок намагниченности. Скирмиониум – более совершенный аналог сикрмиона.
Российские ученые провели комплексное исследование** процессов зарождения, движения и аннигиляции скирмиониума под действием спинового тока. Полученные результаты позволяют организовать процессы записи, хранения и чтения информации в магнитной памяти. Варьируя магнитные параметры системы и плотность тока, можно получить разную плотность и скорость чтения/записи информации. Топологические особенности скирмиониума позволяют существенно повысить плотность записи информации. Во Владивостоке исследовали стабильность скирмиониума под воздействием тока, чтобы определить технологические условия и режимы работы нового вида памяти. В скирмиониуме удалось снять ограничения, свойственные скирмиону. В частности, ученым удалось нивелировать силу Магнуса, действие которой приводило к потере данных. Пересчет результатов исследований в плотность записи дал значения до 50 Тбит/кв.дюйм (пока в современных жестких дисках достигнута плотность записи около 1 Тбит/кв.дюйм).
Также в России исследован новый способ зарождения скирмиониума на основе принципа наноструктурирования. Это позволяет избежать трудоёмкого процесса установки в магнитный модуль дополнительных наноконтактов. В итоге получается, что новая российская уникальная технология производства устройств беговой памяти выгоднее и проще аналогов, разрабатываемых в мире.
Как будет устроена новая память на скирмиониуме?
Модули беговой памяти учёные предлагают изготавливать по принципу сэндвича: тяжёлый металл (платина, рутений, тантал и т.д.) покрывается тонким слоем ферромагнетика толщиной около одного нанометра, который сверху закрывается ещё одним слоем тяжёлого металла, чтобы избежать окисления ферромагнетика. При этом сообщается, что новый тип памяти не требует внешних источников энергии. Диск на беговой памяти сохранит данные, если компьютер не будет подключён к источнику питания. При этом отсутствует ограничение по числу циклов записи. Это выгодно отличает технологию магнитной беговой памяти от технологии SSD-дисков, которые имеют конечное количество циклов перезаписи.
Устройства, в которых будет применён принцип беговой памяти, смогут хранить намного больше информации по сравнению с современными флеш-накопителями и жёсткими дисками. Значительно возрастёт скорость чтения/записи и время хранения данных.
*Беговая память (англ. racetrack memory, domain-wall memory (DWM)) - тип энергонезависимой памяти, принцип работы которой основан не на работе записывающей магнитной головки диска, а на перемещении магнитных доменов - устойчивых магнитных состояний в нанотреках - с помощью спиновых токов. Намагниченность в домене может переключаться между двумя стояниями - например, вверх и вниз. На этом принципе и основана запись информации в магнитной памяти, что позволяет записывать двоичный код путем чередования последовательности «0» и «1».
**Статья об исследовании в специализированном научном журнале на английском языке: https://www.nature.com/articles/s41598-018-34934-2