Нитрид галлия

Нитрид галлия (GaN) уже перестал быть экзотикой для лабораторий. За последние годы он превратился в один из ключевых материалов новой электроники — от зарядок и дата-центров до радиолокации и космоса. Однако главное — впереди: именно будущее применения GaN делает его стратегическим ресурсом. От замены кремния — к новой архитектуре Сегодня GaN чаще всего воспринимают как «улучшенный кремний»: выше КПД, меньше потерь, выше рабочие частоты. Но в перспективе 10–15 лет речь идёт не о замене, а о смене архитектуры электроники...

Галлий-нитрид (GaN) — полупроводник с широкой запрещённой зоной, который за последние 30 лет превратился из экзотики для военных радаров в основу зарядок для смартфонов, базовых станций 5G и мощных лазеров. Краткая история 1930–1950-е: нитриды III группы (GaN, AlN, InN) изучают как необычные кристаллы с высокой твёрдостью и термостойкостью, но вырастить качественный GaN почти не удаётся. 1970–1980-е: появляются первые светодиоды на GaN, но с низкой эффективностью из-за большого количества дефектов...