ИМХО. К вопросу об измерении параметров параллельно включенных разрядника и защитного диода. Часть 3. Решения и выводы.
Предыдущая, часть 2, «Уточнение задачи, ВАХ и ВСХ», закончилась описанием трех вариантов, измерения параметров разрядников и полупроводниковых элементов, реализованных в тестерах устройств и элементах защиты. Не один из этих вариантов не позволяет решить задачу измерении параметров параллельно включенных разрядника и защитного диода, поставленную в части 1, «Координация параметров». Как упоминается в ч.2, p-n переход пробивается при коротком импульсе в наносекундном диапазоне, длительности такого импульса недостаточно для образования достаточного для пробоя разрядника носителей заряда...