Физики МФТИ впервые напрямую измерили влияние механического давления на свойства перспективной энергонезависимой памяти
Ученые лаборатории перспективных концепций хранения памяти МФТИ придумали, как измерять механическое давление, меняющее свойства материалов, используемых в микросхемах нового поколения. Это открытие позволяет решить одну из ключевых проблем для развития технологии постоянной компьютерной памяти на основе сегнетоэлектричества. Специалисты прогнозируют, что новые чипы на основе оксида гафния...